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Leistungs-pHEMT-FETs GaAs-Bauelemente für hohe Zuverlässigkeit und Leistungseffizienz

| Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: BeRex)

BeRex ist ein kalifornischer Anbieter von GaAs-Hochleistungsbauelementen der Typen pHEMT (pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, pseudomorpher Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit) und MESFET (MEtal Semiconductor Field-Effect Transistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor) und meldet die Markteinführung einer neuen Familie von pHEMT-FETs (pHEMT-Feldeffekttansistoren) mit der Bezeichnung BCPxxxC-Serie. Diese FETs zeichnen sich nach Herstellerangaben durch einen erhöhten Stromwirkungsgrad bei exzellentem Verstärkungs- und Leistungsverhalten aus. Damit eignen sie sich laut BeRex für C-, X-, Ku- und K-Band-Verstärker. Diese BCPxxxC-FETs gibt es als ungekapselte Chips (Bare Die) mit einer Nenn-Gate-Länge von 0,25 µm und Gate-Breiten von 200 µm bis 2400 µm und liefern eine Ausgangsleistung von bis zu 1 W bei Frequenzen bis 27 GHz. Diese Bauelemente werden in den USA entwickelt und gefertigt, wobei moderne Metallisierungs- und Si3N4-Passivierungsverfahren zur Anwendung kommen, damit ein Höchstmaß an Zuverlässigkeit gewährleistet ist. Zur pHEMT-Familie BCPxxxC gehören die Versionen BCP020C, BCP030C, BCP040C, BCP060C, BCP080C, BCP120C, BCP160C und BCP240C. Muster aus der laufenden Produktion sind auf Anfrage erhältlich. BeRex, Inc. wurde 2007 gegründet und hat seinen Sitz in Santa Clara (Kalifornien), wo das Unternehmen ein breites Spektrum von GaAs- und SiGe-Hochfrequenzbauelementen entwickelt, produziert und vermarktet. Vertrieb in Deutschland ist GLOBES Elektronik mit über zweihundert Jahren Erfahrung in der Hf-Technik.

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