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DC/DC-Wandler Für schnell schaltende GaN-Treiber

| Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: RECOM)

GaN-Transistoren mit hoher Slew-Rate benötigen eine isolierte +6-V-Versorgung mit hoher Isolation und niedriger Isolationskapazität. Die RP-xx06S und RxxP06S Serien bieten eine Ausgangspannung von +6 V, welche ausreicht, um GaN-HEMTs effizient zu schalten, ohne das es zu einem Spannungsdurchschlag kommt. Intern kommt ein sogenannter Pot-Transformer zum Einsatz. Bei dieser Technik wird der Ringkern zusammen mit der Eingangswicklung in einem Topf vergossen. Die Ausgangswicklung wird anschließend über den Topf gewickelt. Physisch voneinander getrennt bieten sie eine Isolation von 6,4 kVDC.

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