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Fotorelais Für große Schaltströme im mittleren Spannungsbereich

| Redakteur: Kristin Rinortner

Toshiba Electronics Europe hat ein Fotorelais in einem kleinen SOP4 Gehäuse mit einer Höhe von 2,1 mm und im Raster von 2,54 mm angekündigt.

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(Bild: Toshiba )

Das Fotorelais TLP3145 von Toshiba Electronics Europe integriert MOSFETs, die mit dem aktuellen „U-MOS VIII“-Trench-Prozess des Herstellers gefertigt werden. Es kombiniert eine Spitzensperrspannung von 200 V mit einem steuerbaren Laststrom bis zu 0,4 A bei kontinuierlichem Betrieb bzw. 1,2 A bei gepulstem Betrieb. Damit ist das Relais ein geeigneter Ersatz für mechanische Relais, die zur Steuerung eines 100-V-AC-Schaltkreises verwendet werden.

Wird ein mechanisches Relais durch ein Fotorelais ersetzt, das kleiner ist und keinen Relais-Treiber benötigt, erhöht sich die Zuverlässigkeit des Systems und ein platzsparendes Design wird möglich. Das Relais ist für Betriebstemperatur von –40 bis 110 ºC ausgelegt.

Der Chip schaltet in max. 0,5 ms ein bzw. aus und verbraucht einen Leckstrom von max. 1μA im ausgeschalteten Zustand. Der Baustein bietet eine Isolationsspannung von 1500 Veff und erfüllt den Sicherheitsstandard UL1577. Das Fotorelais kommt in einem SOP4-Gehäuse mit einer Höhe von 2,1 mm im Raster 2,54

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