TO-Leadless-Leistungshalbleiter Fünf 650-V-SJ-Power-MOSFETs im SMD-TOLL-Gehäuse

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Toshiba)

Mit 9,9 mm x 11,68 mm x 2,3 mm (BxLxH) bieten die Bausteine TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z und TK190U65Z eine um 27 Prozent kleinere Fläche als das herkömmliche D2PAK-Gehäuse. Zu den Anwendungen zählen Server-Stromversorgungen in Rechenzentren, Power-Conditioner für Solarstrom, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und andere Industrieanwendungen. Das Angebot wurde um Produkte der DTMOS-VI-Serie mit niedrigem Durchlasswiderstand bis hinab auf 65 mΩ erweitert. Darüber hinaus bietet das Gehäuse optional eine Kelvin-Source, mit der sich u.a. der Einfluß der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses im Gehäuse verringern lässt. Im Vergleich zum TK090N65Z mit gleicher Spannung und gleichem On-Widerstand im TO-247 ohne Kelvin-Anschluss, hat der TK090U65Z bis zu 68 Prozent weniger Einschaltverluste und um 56 Prozent weniger Ausschaltverluste.

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