Ferroelekritisches RAM FRAM-V-Serie mit erweitertem Spannungsbereich

Redakteur: Holger Heller

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(Fujitsu Semiconductor Europe)

Fujitsu Semiconductor Europe (FSEU) ergänzt seine FRAM-V-Produktserie mit erweitertem Spannungsbereich um den MB85RC256V, der die größte Speicherdichte der V-Serie besitzt und ist mit einem nochmals erweiterten Spannungsbereich von 2,7 bis 5,5 V erhältlich ist. Da der gesamte Spannungsbereich von 3,3- und 5-V-Systemen unterstützt wird, können Kunden mit dem MB85RC256V ihre Logistik- und Designprozesse jetzt noch effizienter gestalten.

Das neue FRAM enthält einen Speicher von 256 KBit mit einer Konfiguration von 32K-Wörtern zu 8 Bit. Der Baustein besitzt serielle I²C-Schnittstellen mit einer maximalen Betriebsfrequenz von 400 kHz bei einer Betriebsspannung von 2,7 bis 4,5 V bzw. maximal 1 MHz bei einer Betriebsspannung von 4,5 bis 5,5 V. Alle Produkte dieser Serie sind in EEPROM-kompatiblen 8-Pin SOP-Gehäusen erhältlich. Der MB85RC256V bietet einen Datenerhalt von 10 Jahren bei 85 °C und ist für 1 Billion (1012) Schreib-/Lesezyklen ausgelegt. Somit ist die Funktion für den Industrie-Temperaturbereich von -40 bis 85 °C garantiert.

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