Thema: Den Innenwiderstand von SiC-MOSFET um zwei Drittel senken

erstellt am: 06.12.2018 12:38

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Den Innenwiderstand von SiC-MOSFET um zwei Drittel senken


Mehr als 50 Jahre führt Silizium die Branche der Leistungshalbleiter an. Doch Devices mit großer Bandlücke rücken stetig vor. Jetzt wissen Forscher, wie sich der SiC-Widerstand weiter senken lässt.

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Kommentar zu: Den Innenwiderstand von SiC-MOSFET um zwei Drittel senken
06.12.2018 12:38

Eine interessante Entwicklung und zweifelsohne sehr nutzbringend. Aber bei 66% kleinerem Widerstand in SiC-Halbleitern von einem erheblichen Verringern des weltweiten Energieverbrauchs zu sprechen ist m.E. doch etwas übertrieben. Man bedenke, dass die elektrische Energie nur einen Bruchteil des gesamten Energieverbrauchs ausmacht. J. Hammer, Physiker (Nukleartechnik)

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