GaN-Halbleiter

Forschungsprojekt „PowerBase“ – Energiesparchips der Zukunft

| Redakteur: Eilyn Kadow

Wafer aus Galliumnitrid sollen bis 2018 in der Villacher Pilotanlage des Projekts PowerBase produziert werden.
Wafer aus Galliumnitrid sollen bis 2018 in der Villacher Pilotanlage des Projekts PowerBase produziert werden. (Bild: Infineon Austria)

Das europäische Forschungsprojekt „PowerBase“ entwickelt die nächste Generation von Energiesparchips. Unter der Leitung von Infineon Austria zusammen mit 39 Partnern aus neun Ländern und 87 Millionen Euro Volumen soll diese Zukunftstechnologie zur Marktreife geführt werden.

Leistungshalbleiter wandeln elektrische Energie, zum Beispiel die Netzspannung aus der Steckdose, im Ladegerät oder im Netzteil auf die Erfordernisse des jeweiligen Geräts um. Mit Galliumnitrid (GaN) als Halbleitermaterial sind höhere Durchbruchsfeldstärken und schnellere Schaltgeschwindigkeiten möglich als mit Silizium. Die Energieverluste, die meist in Form von Abwärme anfallen, werden so um bis zu 50 Prozent reduziert. Die höhere Leistungsfähigkeit ermöglicht es zudem, Bauteile wie Netzteile und Ladegeräte noch kleiner werden zu lassen. Auch für Beleuchtung und Photovoltaik bietet das Material vielversprechende Möglichkeiten.

Ergänzendes zum Thema
 
Forschungsteam: 39 Partner aus neun Ländern

Bei der Entwicklung dieser energieeffizienten Halbleitertechnologie zur industriellen Marktreife bringt das Fraunhofer IWM in Halle vor allem seine Expertise in der Diagnostik ein. „Galliumnitrid bietet enorme Potenziale für die Leistungselektronik. Es sind aber noch viele Aufgaben zu lösen, um diese innovativen Halbleiterbauelemente zukünftig im industriellen Maßstab mit der nötigen Qualität und Langlebigkeit produzieren zu können“, sagt Matthias Petzold, Leiter des Fraunhofer-Centers für Angewandte Mikrostrukturdiagnostik CAM, das zum Fraunhofer IWM gehört.

„Wir freuen uns, gemeinsam mit Infineon und weiteren hochkarätigen europäischen Partnern im Projekt „PowerBase“ an dieser Aufgabe mitzuarbeiten. Aufgrund unserer Erfahrung und Kompetenz in der Material- und Zuverlässigkeitsforschung können wir wichtige Erkenntnisse beisteuern, sowohl für die Prozessierung der Galliumnitrid- Halbleiterwafer als auch für den nachfolgenden Aufbau von Bauelementen im Packaging.“

Neues Anlagenkonzept für die Galliumnitrid-Herstellung

Fraunhofer THM

Neues Anlagenkonzept für die Galliumnitrid-Herstellung

18.09.14 - Galliumnitrid (GaN) gilt als wichtiges Halbleitermaterial der Zukunft für Leistungselektronik. Doch noch ist die Herstellung sehr teuer. Gemeinsam mit der Industrie hat das Fraunhofer THM in Freiberg ein neues Anlagenkonzept entwickelt, das die GaN-Herstellungskosten deutlich senkt. lesen

Die Finanzierung von „PowerBase“ erfolgt vor allem über Investitionen aus der Industrie, durch das ECSEL-Programm der EU sowie durch eine nationale Co-Förderung in Österreich, Belgien, Deutschland, Italien, Norwegen, Spanien, der Slowakei, Großbritannien und den Niederlanden. ECSEL steht dabei für „Electronic Components and Systems for European Leadership“ und ist als Private-Public-Partnership-Programm ein wichtiger Baustein der Initiative „Europa 2020“ der EU-Kommission.

Die Bundesregierung sieht in der europäischen Zusammenarbeit innerhalb der ECSEL-Projekte ein wichtiges Instrument, um die starken Kompetenzen in der Mikroelektronik in Deutschland im Rahmen ihrer Hightech-Strategie weiter auszubauen und fördert das Vorhaben aus Mitteln des Bundesministeriums für Bildung und Forschung. Zusätzlich engagiert sich auch der Freistaat Sachsen.

Robustere Leistungselektronik durch verbesserte AVT

Werkstoffe & Materialien

Robustere Leistungselektronik durch verbesserte AVT

02.03.15 - Die Erhöhung der Powerzyklen-Festigkeit ist Ziel vieler Arbeiten von Leistungshalbleiter-Experten. Ein wichtiger Dreh- und Angelpunkt hierzu sind die Materialien in der Aufbau- und Verbindungstechnik. lesen

Kommentar zu diesem Artikel abgeben

Schreiben Sie uns hier Ihre Meinung ...
(nicht registrierter User)

Zur Wahrung unserer Interessen speichern wir zusätzlich zu den o.g. Informationen die IP-Adresse. Dies dient ausschließlich dem Zweck, dass Sie als Urheber des Kommentars identifiziert werden können. Rechtliche Grundlage ist die Wahrung berechtigter Interessen gem. Art 6 Abs 1 lit. f) DSGVO.
Kommentar abschicken
copyright

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Kontaktieren Sie uns über: support.vogel.de/ (ID: 43466811 / Energieeffizienz)