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06.11.2019

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Beta-Galliumoxid fordert SiC und GaN heraus

Mit 1,8 kV Durchbruchsspannung und der Leistungsdichte von 155 MW/cm2 erreicht der Galliumoxid-Leistungstransistor des Ferdinand-Braun-Instituts (FBH) beinahe die theoretischen Materialgrenzen.

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02.09.2019

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Lidar-Demonstrator: PC-steuerbare Pulslaserquelle

Ein PC-steuerbarer Live-Demonstrator für gepulste Laserquellen erzeugt Pulse im Bereich von 200 ps bis 20 ns.

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02.09.2019

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Lidar-Demonstrator: PC-steuerbare Pulslaserquelle

Ein PC-steuerbarer Live-Demonstrator für gepulste Laserquellen erzeugt Pulse im Bereich von 200 ps bis 20 ns.

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01.06.2015

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Diodenlaserbarren mit einer Ausgangsleistung von 2 kW

Spitzenleistung bei Diodenlaserbarren: Forscher konnten eine optische Ausgangsleistung von 2 kW mit einem einzelnen Laserbarren erzielen, der eine Emitterbreite von einem Zentimeter hat. Gekühlt wurde der Barren auf -70 °C.

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24.04.2015

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Weltraum-Experimente sollen Einstein-Theorie belegen

Werden tatsächlich alle Arten von Uhren in gleicher Weise durch die Gravitation beeinflusst, wie es Albert Einsteins Allgemeine Relativitätstheorie voraussagt? An Bord einer Texus-Rakete wurden dazu am 23. Apirl Präzisionsexperimente mit Lasern durchgeführt. Eines der Herzstücke ...

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02.11.2012

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Die Halbleiter der nächsten Generation

Die Effizienz moderner Elektroniksysteme wird durch die aktiven Schaltelemente begrenzt. Die Silizium-Technologie stößt hier an ihre Grenzen. Bessere Materialeigenschaften verspricht GaN.

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