Forscher des Ferdinand-Braun-Instituts (FBH) konnten die Zuverlässigkeit von UVB- und UVC-LEDs deutlich verbessern. Ein wichtiger Schritt, um sie künftig auch kommerziell einsetzen zu können.

Das Projekt Kassiopeia soll eine unabhängige europäische Wertschöpfungskette für Wide-Bandgap-Halbleiter demonstrieren. Im Fokus stehen monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen (MMIC) auf Galliumnitrid-Basis mit hohem Wirkungsgrad.

Keime auf Oberflächen lassen sich mit UV-Strahlen abtöten. Das modulare LED-Bestrahlungssystem eignet sich für medizinische Anwendungen und selbst mehrere Wellenlängen sind möglich.

Multiple-Input-Multiple-Output- (MIMO-)Hardware lässt sich mit dem neuartigen Messsystem am Ferdinand-Braun-Institut charakterisieren. Die Anforderungen an die Hardware sind hoch.

Am Ferdinand-Braun-Institut in Berlin wurde eine Messeinheit mit maßgeschneiderten Breitband-Mikrowellen-Downconvertern von Keysight Technologies in Betrieb genommen. Damit sind an der Forschungseinrichtung alle Schlüsselkomponenten für ein neuartiges 5G-MIMO-System verfügbar.

Das Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH) in Berlin und die Universität Duisburg-Essen (UDE) intensivieren ihre Zusammenarbeit auf dem Gebiet der Höchstfrequenz-Halbleiterforschung.

Mit 1,8 kV Durchbruchsspannung und der Leistungsdichte von 155 MW/cm² erreicht der Galliumoxid-Leistungstransistor des Ferdinand-Braun-Instituts (FBH) beinahe die theoretischen Materialgrenzen.

Spitzenleistung bei Diodenlaserbarren: Forscher konnten eine optische Ausgangsleistung von 2 kW mit einem einzelnen Laserbarren erzielen, der eine Emitterbreite von einem Zentimeter hat. Gekühlt wurde der Barren auf -70 °C.

Werden tatsächlich alle Arten von Uhren in gleicher Weise durch die Gravitation beeinflusst, wie es Albert Einsteins Allgemeine Relativitätstheorie voraussagt? An Bord einer Texus-Rakete wurden dazu am 23. Apirl Präzisionsexperimente mit Lasern durchgeführt. Eines der Herzstücke dafür war ein Halbleiterlasermodul, das am Berliner Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik (FBH), entwickelt, gebaut und getestet wurde.

Die Effizienz moderner Elektroniksysteme wird durch die aktiven Schaltelemente begrenzt. Die Silizium-Technologie stößt hier an ihre Grenzen. Bessere Materialeigenschaften verspricht GaN.