eUFS-Embedded-Flash: Samsung knackt 1-TByte-Marke

| Redakteur: Michael Eckstein

Kleiner Riesenspeicher: Samsung stapelt 16 Lagen V-NAND in einem Chip und erreicht so eine Kapazität von 1 TByte.
Kleiner Riesenspeicher: Samsung stapelt 16 Lagen V-NAND in einem Chip und erreicht so eine Kapazität von 1 TByte. (Bild: Samsung)

Gleich groß wie der Vorgänger, aber doppelte Kapazität: Der neue eUFS-V-NAND-Chip von Samsung bietet 20 Mal mehr Speicherplatz als ein heute üblicher 64-GByte-Speicher. Damit stoßen Smartphones in Speicherregionen vor, die bislang Notebooks vorbehalten waren.

Samsung hat mit der Massenproduktion des branchenweit ersten embedded Universal Flash Storage (eUFS) 2.1 mit einer Kapazität von 1 Terabyte (TByte) begonnen. Die neuen eUFS-Speicher sollen speziell in Mobilgeräten der nächsten Generation zum Einsatz kommen. Damit hat der Elektronikriese nur vier Jahre nach Einführung der ersten UFS-Lösung – damals mit einer Kapazität von 128 Gigabyte (GByte) – die Terabyte-Schwelle bei Smartphone-Speichern überschritten.

„Smartphone-Begeisterte werden sich schon bald an einer mit Premium-Notebooks vergleichbaren Speicherkapazität erfreuen können, ohne ihre Mobiltelefone wie bisher mit zusätzlichen Speicherkarten erweitern zu müssen“, sagt Cheol Choi, Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics.

Das 1-TByte-eUFS spiele eine entscheidende Rolle für die Entwicklung von neuen Mobilgeräten. Diese sollen nach Ansicht des Samsung-Managers Anwender mit einem mit Notebooks vergleichbarem Benutzererlebnis überzeugen. Besonderen Wert legt Choi auf die Feststellung, die neuen Chips auch in hohen Stückzahlen liefern zu können. Dies soll dazu beitragen, dem weltweiten Markt für Mobilgeräte neuen Schwung zu verleihen. Mit seinen neuen eUFS-Chips zielt Samsung zunächst auf die kommende Generation der „Flaggschiff-Smartphones“. Als aktuell größter Produzent der mobilen Handcomputer wird das Unternehmen voraussichtlich wohl einen Gutteil seiner neuen Flash-Bausteine selbst verbauen.

Doppelte Kapazität wie Vorgänger bei gleicher Baugröße

Der neue 1-TByte-eUFS-Chip hat dieselben Gehäusemaße wie sein Vorgänger mit 512 GByte: 11,5 mm x 13,0 mm. Die doppelte Speicherkapazität erreicht er durch das Stapeln von 16 Lagen 512-Gigabit-V-NAND-Flash-Memory. Der Platz reicht aus, um beispielsweise 260 zehnminütige Videos in 4K-UHD-Qualität (3.840 x 2.160Pixel) speichern. Im Vergleich dazu würden aktuelle High-End-Smartphones mit 64 GByte nur 13 Videos gleicher Größe unterbringen können.

Für hohes Tempo und effizientes Speichermanagement soll ein neu entwickelter Controller sorgen. Samsung gibt eine Übertragungsgeschwindigkeit von bis zu 1.000 MByte/s an. Damit würde das neue eUFS etwa die doppelte sequentielle Lesegeschwindigkeit einer typischen 2,5-Zoll-SSD erreichen. Mit dem Smartphone gedrehte Full-HD-Videos mit 5 GByte würden sich in nur fünf Sekunden auf eine NVMe-SSD speichern lassen – das entspricht etwa der zehnfachen Geschwindigkeit einer typischen microSD-Karte.

Hohe Geschwindigkeit beim Lesen und Schreiben

Ferner konnte Samsung nach eigenen Angaben die Geschwindigkeit beim wahlfreien Lesen (Random Read Speed) gegenüber der 512-GByte-Version um 38 Prozent auf bis zu 58.000 IOPS erhöhen. Die Geschwindigkeit beim wahlfreien Schreiben (Random Write Speed) soll mit bis zu 50.000 IOPS rund 500 Mal höher sein als bei einer typischen Hochleistungs-microSD-Karte, die auf etwa 100 IOPS kommt. Aufgrund dieser Eigenschaften seien schnelle Serienaufnahmen mit 960 Bilder pro Sekunde möglich, sagt Choi. Damit zielt Samsung beispielsweise auf die Multikamera-Technologie in aktuellen und zukünftigen Spitzenmodellen.

Samsung plant, die Produktion seiner 512-Gb-V-NANDs der fünften Generation in seinem Werk in Pyeongtaek, Korea im Verlauf der ersten Jahreshälfte 2019 weiter auszubauen, um die zu erwartende Nachfrage von Geräteherstellern nach 1-TByte-eUFS-Lösungen erfüllen zu können.

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