ESD-Diode schützt mobile Geräte bis 30 kV

Redakteur: Kristin Rinortner

Toshiba hat mit DF2B7ASL eine Schutzdiode auf den Markt gebracht, die Halbleiterbausteine in tragbaren Geräten gegen elektrostatische Entladungen schützt.

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(Bild: Toshiba)

Toshiba Electronics Europe hat unter der Bezeichnung DF2B7ASL eine bidirektionale ESD-Schutzdiode auf den Markt gebracht. Vorrangige Einsatzgebiete sind der Schutz externer Schnittstellen gegen elektrostatische Entladung in Anwendungen, bei denen es auf kleinstmögliche Fläche ankommt, wie beispielsweise bei tragbaren Geräten.

Die Diode mit Snapback-Charakteristik offeriert eine niedrige Klemmspannung. Die niedrige Klemmspannung und ein kleiner dynamischer Widerstand schützen Halbleiter wirksam gegenüber elektrostatischen Entladungsprozessen. Die Diode ist in einem kompakten Gehäuse untergebracht und für Anwendungen wie Smartphones, Wearables und andere batteriebetriebenen Geräten gedacht.

Der dynamische Widerstand beträgt 0,2 Ω, die Klemmspannung 11 V bei einer Betriebsspannung von 5 V (VRWM ≤ 5,5 V). Die ESD-Absorptionsfähigkeit wird mit +/– 30 kV gemäß IEC61000-4-2 (Kontaktentladung) angegeben. Im SOD-962-Gehäuse (SL2) benötigen die Bauteile eine Fläche von 0,32 mm x 0,62 mm auf der Leiterplatte.

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