Erstes 512-GB-Speichermodul für Mobilgeräte

Redakteur: Michael Eckstein

Samsung startet Produktion des ersten Universal-Flash-Storage-Modul mit 512 GB für Mobilgeräte der nächsten Generation.

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Mega-Sandwich: Samsungs neue V-NAND-Chips mit 512-Gigabit erreichen ihre hohe Speicherdichte durch das Stapeln von 64 Lagen.
Mega-Sandwich: Samsungs neue V-NAND-Chips mit 512-Gigabit erreichen ihre hohe Speicherdichte durch das Stapeln von 64 Lagen.
(Bild: Samsung)

Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion der nach eigenen Angaben branchenweit ersten eUFS-Speicherlösung (embedded Universal Flash Storage) begonnen, die über einen einen Speicherplatz von 512 GByte verfügt. Sie bietet sich zum Beispiel für den Einsatz in kommenden Mobilgerätegenerationen an. Die 512-GByte-eUFS-Karte basiert auf Samsungs neuesten V-NAND-Chips mit 512-Gbit. Diese sind mit 64 Lagen aufgebaut.

“Das neue Samsung 512GByte-eUFS ist die beste Embedded-Speicherlösung für Premium-Smartphones der nächsten Generation“, ist Jaesoo Han überzeugt. Der Executive Vice President of Memory Sales & Marketing bei Samsung Electronics begründet: „Das Modul schränkt nicht die Systemleistung ein, was beim Verwenden von Micro-SD-Karten potenziell möglich ist.“ Damit Mobilgerätehersteller ihre Produkte der nächsten Generation weltweit termingerecht auf den Markt bringen können, „stellen wir eine frühzeitige und stabile Versorgung mit diesen modernen Embedded-Storage-Lösungen sicher.“

64-lagiges Sandwich

Samsungs neue 512-GByte-eUFS-Lösung besteht aus acht 512-Gbit-V-NAND-Chips mit je 64 Lagen und einem Controller-Chip. Alle Chips sind aufeinander gestapelt. Durch diesen kniff konnte Samsung die Dichte seines bisherigen 48-Lagen-V-NAND-basierten 256-GByte-eUFS verdoppeln, ohne dass es mehr Platz beansprucht.

Die höhere Speicherkapazität des eUFS soll Anwendern ein noch „umfangreicheres Mobilgeräteerlebnis ermöglichen“, sagt Han. Zum Beispiel würde es einem Flaggschiff-Smartphone die Fähigkeit verleihen, etwa 130 4K-Ultra-HD-Video-Clips mit 10 Minuten Spielzeit zu speichern. Das wäre in etwa eine Verzehnfachung gegenüber einem bislang üblichen 64-GByte-eUFS.

Die Berechnung bezieht sich auf von Samsung durchgeführte Tests, bei denen der durchschnittliche tatsächliche Speicherplatz etwa 93 Prozent der angegebenen Kapazität beträgt, und das Mobilgeräte-Betriebssystem etwa 13 GByte der Kapazität eines Flaggschiff-Smartphones nutzt.

Proprietäre Technologien sollen Leistung und Effizienz verbessern

Um die Leistungsfähigkeit und Energieeffizienz des neuen 512-GByte-eUFS zu maximieren, setzt Samsung auf neu entwickelte, proprietäre Technologien. Neben dem modernen Schaltkreisdesign würden neue Powermanagement-Technologien im Controller des 512-GByte-eUFS für eine hohe Energieeffizienz sorgen. „Und das, obwohl das neue Modul doppelt so viele Zellen enthält wie ein eUFS mit 256 GByte“, freut sich Han. Darüber hinaus beschleunige der Controller-Chip das Abbilden von Logikblock-Adressen auf Adressen physikalischer Blöcke.

Für Anwender wichtiger, weil spürbar, sind die hohen Lese- und Schreibraten: Nach Angaben von Samsung erreicht das neue Modul sequenzielle Lese- und Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 860 MByte pro Sekunde (MB/s) beziehungsweise 255 MB/s. Ein 5 GByte großes Full-HD-Video lässt sich damit in etwa sechs Sekunden auf eine SSD übertragen – über achtmal schneller als bei einer handelsüblichen microSD Card.

Viele IOPS für ruckelfreien Multimediagenuss

Beim wahlfreien Lesen und Schreiben verarbeitet Samsungs neue eUFS-Lösung 42.000 beziehungsweise 40.000 Ein-/Ausgangs-Operationen pro Sekunde) (IOPS). Herkömmliche microSD-Karten erreichen rund 100 IOPS. „Dadurch können Mobilgerätenutzer Multimedia-Erlebnisse ruckelfrei genießen“, sagt Han. Das könnten zum Beispiel hochauflösende Serienaufnahmen und Dateisuchen sowie das Herunterladen von Videos im Dual-App-Betrachtungsmodus sein.

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