X-FAB

Erste 0,35-µm-Foundrytechnologie mit Spannungsbereich von 45 bis 100 V verkleinert Transistoren

21.07.2010 | Redakteur: Gerd Kucera

Jens Kosch, X-FAB: „Alle erwähnten Funktionen und Schaltungselemente stehen ab sofort im Rahmen des 0,35-µm-Hochvolt-Prozessangebot zur Verfügung.“
Jens Kosch, X-FAB: „Alle erwähnten Funktionen und Schaltungselemente stehen ab sofort im Rahmen des 0,35-µm-Hochvolt-Prozessangebot zur Verfügung.“

Die Erfurter Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry X-FAB kündigte den ersten 100-V-Hochvolt-Foundryprozess auf Basis der 0,35-µm-Technologie an. Damit ist eine neue Klasse von hochleistungsfähigen Batterieüberwachungs- und Batterieschutzsystemen möglich.

Dem neuen Hochvolt-Foundryprozess wurden verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit 45% geringerem Einschaltwiderstand für verschiedene Betriebsspannungen bis zu 100 V hinzugefügt. Dadurch kann die benötigte Siliziumfläche um bis zu 40% verkleinert und so die Chip-Kosten entsprechend reduziert werden. X-FAB wird diese Möglichkeiten detailliert in einem kostenfreien Webinar mit dem Titel „Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process“ (auf Englisch) vorstellen, das weltweit am 27. und 28. Juli stattfindet.

Anwendungen mit starkem Potenzial

Dazu Jens Kosch, CTO bei X-FAB: „Die wachsende Beliebtheit von Quellen erneuerbarer Energien für Hybrid- und Elektroautos, photovoltaische Zellen und Windturbinen erfordert sichere, hochleistungsfähige Energiespeicher-Management-Lösungen. Mit X-FABs neuem Hochvoltprozess können unsere Kunden diese und andere neue Anwendungen mit starkem Wachstumspotenzial adressieren – zu geringeren Kosten. So haben zum Beispiel namhafte Automobilhersteller großes Interesse an Power-Management-Lösungen für Lithium-Ionen-Akkus. Mit X-FABs neuem HV-Prozess können sie sicherere Batterieüberwachungs- und -schutzsysteme mit höherer Leistungsfähigkeit realisieren.“

Zwischen Masse und max. Betriebsspannung floaten

X-FABs verbesserte N- und P-leitende DMOS-Transistoren mit Gate-Oxid-Dicken von 14 oder 40 nm bieten Anwendern die Wahl zwischen 5- oder 12-V-Steuerspannung für Anwendungen mit Betriebsspannungen von 55, 75 und 100 V. Durch die erhebliche Verringerung des Einschaltwiderstandes, die Integration einer EEPROM-Funktion zum Speichern von Programm- und Abgleichinformationen in den Basisprozess und die Option einer dicken, dritten Metalllage konnte X-FAB die Kosten pro Funktion deutlich senken. Neu hinzugefügte 5-V-NMOS- und -PMOS-Transistoren können zudem zwischen Masse und der maximalen Betriebsspannung von 100 V floaten. Als weitere Schaltungselemente wurden auch Schottky-Dioden, 20-V- und 100-V-Hochvolt-Kapazitäten sowie bipolare Transistoren verbessert.

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