MEMS-Relais Ersatz für Halbleiter-Relais

Redakteur: Kristin Rinortner

Ein Nachteil von MEMS-Kontakten war bisher, dass sie nur mit geringen Stromstärken zurecht kamen. Menlo Micro hat das jetzt gelöst und Leistungsrelais auf Basis der Smart-Power-Relais-Technik mit „Digital Micro Switch“ vorgestellt, die 200 V / 10 A schalten.

Firmen zum Thema

(Bild: Menlo Micro)

Menlo Micro (Vertrieb: Eurocomp Elektronik), eine Ausgründung von GE, hat mit dem MM3200 einen MEMS-Schalter (DC bis 3 GHz) vorgestellt, der auf dem als „Smart Power“-Relais mit „Digital Micro Switch“ (DMS) bezeichneten Fertigungsprozess basiert.

Damit lassen sich sehr kleine, leichte Leistungsrelais herstellen, die die positiven Eigenschaften von Halbleiter- und elektromechanischen Relais verbinden. Ein MOSFET und ein MEMS-Schalter werden für eine Nullspannungsschaltung kombiniert für reduzierte Schaltenergie und verlängerte Kontakt-Lebensdauer.

Die Lebensdauer wird mit 3 Mrd. Schaltspielen angegeben. Die Die Schaltzeiten liegen unter 10 µs. Die Chips im QFN-Gehäuse zeichnen sich durch Einschaltverluste von <10 mΩ aus. Der Schalter arbeitet mit Spannungen von 5 V und benötigt 1 mA zum Schalten. Die Isolationsspannung liegt bei 2500 V.

Weitere MEMS-Typen für höchste Frequenzen sind MM3100 (DC bis 3 >GHz, RDS(on)<0,75 Ω), MM7100 (SPST, 2 A, DC bis 750 MHz, Nennspannung 400 V, Nennstrom 2 A, LCC-Gehäuse) und MM5120 (SPDT, DC bis 12 GHz, 25 W CW, QFN-Gehäuse).

(ID:45227169)