MEMS-Relais Ersatz für Halbleiter-Relais

Redakteur: Kristin Rinortner

Ein Nachteil von MEMS-Kontakten war bisher, dass sie nur mit geringen Stromstärken zurecht kamen. Menlo Micro hat das jetzt gelöst und Leistungsrelais auf Basis der Smart-Power-Relais-Technik mit „Digital Micro Switch“ vorgestellt, die 200 V / 10 A schalten.

Anbieter zum Thema

(Bild: Menlo Micro)

Menlo Micro (Vertrieb: Eurocomp Elektronik), eine Ausgründung von GE, hat mit dem MM3200 einen MEMS-Schalter (DC bis 3 GHz) vorgestellt, der auf dem als „Smart Power“-Relais mit „Digital Micro Switch“ (DMS) bezeichneten Fertigungsprozess basiert.

Damit lassen sich sehr kleine, leichte Leistungsrelais herstellen, die die positiven Eigenschaften von Halbleiter- und elektromechanischen Relais verbinden. Ein MOSFET und ein MEMS-Schalter werden für eine Nullspannungsschaltung kombiniert für reduzierte Schaltenergie und verlängerte Kontakt-Lebensdauer.

Die Lebensdauer wird mit 3 Mrd. Schaltspielen angegeben. Die Die Schaltzeiten liegen unter 10 µs. Die Chips im QFN-Gehäuse zeichnen sich durch Einschaltverluste von <10 mΩ aus. Der Schalter arbeitet mit Spannungen von 5 V und benötigt 1 mA zum Schalten. Die Isolationsspannung liegt bei 2500 V.

Weitere MEMS-Typen für höchste Frequenzen sind MM3100 (DC bis 3 >GHz, RDS(on)<0,75 Ω), MM7100 (SPST, 2 A, DC bis 750 MHz, Nennspannung 400 V, Nennstrom 2 A, LCC-Gehäuse) und MM5120 (SPDT, DC bis 12 GHz, 25 W CW, QFN-Gehäuse).

Jetzt Newsletter abonnieren

Verpassen Sie nicht unsere besten Inhalte

Mit Klick auf „Newsletter abonnieren“ erkläre ich mich mit der Verarbeitung und Nutzung meiner Daten gemäß Einwilligungserklärung (bitte aufklappen für Details) einverstanden und akzeptiere die Nutzungsbedingungen. Weitere Informationen finde ich in unserer Datenschutzerklärung.

Aufklappen für Details zu Ihrer Einwilligung

(ID:45227169)