X-FAB

Erfurter Foundry offeriert weltweit erstmalig monolithische nichtflüchtige RAM-Speicherblöcke

04.03.2010 | Redakteur: Gerd Kucera

Kosch, X-FAB: „Die Chipflächenreduktion und die Zeitersparnis durch die neue NVRAM-Prozessoption sorgt für schnellere und preiswertere Speicher-Designs.“
Kosch, X-FAB: „Die Chipflächenreduktion und die Zeitersparnis durch die neue NVRAM-Prozessoption sorgt für schnellere und preiswertere Speicher-Designs.“

Durch die jetzt verfügbare XH018-Prozessoption, kombiniert mit einem NVRAM-Compiler, lassen sich die Vorteile von SRAMs mit denen von nichtflüchtigen Speichern in einem monolithisch integrierten Embedded NVRAM nutzen.

Die Analog/Mixed-Signal-Halbleiterfoundry X-FAB bietet seit heute als erste und einzige Foundry monolithisch integrierte nichtflüchtige RAM-Speicherblöcke (Embedded NVRAM) an. Die neue NVRAM-Option des XH018-Prozesses und der ebenfalls verfügbare NVRAM-Compiler verbinden die Vorteile der kürzeren Zugriffszeiten von SRAM-Speichern mit der dauerhaften Datenspeicherung nichtflüchtiger EEPROM- oder FLASH-Speicher. Dies ermöglicht den Anwendern, gleiche oder bessere Funktionalität bei deutlich geringerer Chipfläche zu erreichen und in der Entwicklungs- und Testphase Zeit und Aufwand zu sparen.

Der neue Compiler erlaubt Entwicklern, kostengünstige und sofort verwendbare NVRAM-Blöcke entsprechend ihren Spezifikationen zu erzeugen und verschiedene Speicherkonfigurationen zu erproben, bevor das Design endgültig festgelegt wird. Die neue XH018-NVRAM-IP ist eine geeignete Option für schnelle, sichere nichtflüchtige Datenspeicherung in Anwendungen, die eine dynamische Speicherung, eine Erhaltung der Daten bei ausgeschalteter Versorgungsspannung und einen Schutz der Daten bei plötzlicher Unterbrechung der Stromversorgung erfordern. Typische Applikationen ergeben sich in den Bereichen industrielle Steuerungen, Automobilelektronik, Datentransfersysteme und RAID-Datenspeichertechnik sowie bei der Verwaltung sicherheitsrelevanter Daten.

Thomas Freitag, Produktlinienmanager bei Melexis, konstatiert: „Mit dem NVRAM-Compiler von X-FAB können wir unsere Speicherblöcke nicht nur schnell definieren, sondern sogar mit verschiedenen Konfigurationen experimentieren. Diese Möglichkeiten hatten wir bisher nicht.“

Traditionell wurden nichtflüchtige RAM-Speicherkapazitäten hergestellt, indem man SRAM-Speicherelemente mit separatem EEPROM-Speicher kombiniert hat, was jedoch zusätzliche Funktionalität für den Datenaustausch zwischen beiden Speichertypen erfordert sowie erhöhten Entwicklungsaufwand hervorruft, um diese Schaltungsteile zu integrieren und zu testen. Im Gegensatz dazu schreibt X-FABs integrierter NVRAM den SRAM-Dateninhalt in einem einzigen Zyklus in den nichtflüchtigen Speicher. Dr. Jens Kosch, Chief Technology Officer bei X-FAB, betont: „Unsere Kunden können diese neue NVRAM-Funktionalität leicht mit dem Rest ihres Designs zu einer Einzelchiplösung integrieren.“

Sowohl die NVRAM-Prozessoption der XH018-Technologie als auch der dazugehörige NVRAM-Compiler sind sofort verfügbar. Der Zugang zum XH018-NVRAM-Compiler erfolgt online über X-FABs technische Informationsplattform X-TIC.

Kommentar zu diesem Artikel abgeben

Schreiben Sie uns hier Ihre Meinung ...
(nicht registrierter User)

Zur Wahrung unserer Interessen speichern wir zusätzlich zu den o.g. Informationen die IP-Adresse. Dies dient ausschließlich dem Zweck, dass Sie als Urheber des Kommentars identifiziert werden können. Rechtliche Grundlage ist die Wahrung berechtigter Interessen gem. Art 6 Abs 1 lit. f) DSGVO.
Kommentar abschicken
copyright

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Kontaktieren Sie uns über: support.vogel.de/ (ID: 339023 / Speicher)