X-FAB

Erfurter Foundry etabliert MEMS-Zentrum zur hochmodernen Serienfertigung von 200-mm-MEMS-Wafern

11.06.2010 | Redakteur: Gerd Kucera

Thomas Hartung, X-FAB: „Mit der 200-mm-Waferfertigung lassen sich die Kosten für diskrete Sensoren senken.“
Thomas Hartung, X-FAB: „Mit der 200-mm-Waferfertigung lassen sich die Kosten für diskrete Sensoren senken.“

Seit über zehn Jahren bietet X-FAB in Erfurt MEMS-Foundryleistungen an. Um die Nachfrage nach hohen Stückzahlen etwa für den Konsumgütermarkt begegnen zu können, erweitert die Foundry ihre Dienste um eine 200-mm-MEMS-Waferfertigung.

Diese Erweiterung der Foundrydienste um eine 200-mm-MEMS-Waferproduktion hat besondere Vorteile: Der Wechsel zu einem größeren Wafer-Durchmesser sowie die monolithische Integration von MEMS und CMOS erlauben es, die Fertigungskosten deutlich zu senken. Mit dem Aufbau einer solchen 8“-MEMS-Fertigung sichert sich X-FAB einen Platz in der Riege der führenden MEMS-Foundries. Davon profitieren insbesondere Kunden, die Anwendungen für den Automobil- und Konsumgütermarkt entwickeln. Das Unternehmen arbeitet bereits mit mehreren Kunden zusammen, die MEMS-Bauelemente auf 200-mm-Wafern in Kombination mit 0,35-µm-CMOS-Technologie entwickeln.

Mit Errichtung des MEMS-Zentrums wollen die Erfurter dem explosiven Marktwachstum begegnen – ein Bedarf, der durch neue Anwendungen mit hohen Stückzahlen für den Konsumgütermarkt getrieben ist. MEMS-Beschleunigungsmesser, Gyroskope, MEMS-Drucksensoren und -Mikrofone sind in einer Vielzahl von Konsumgütern weit verbreitet.

In drei Phasen entsteht das Zentrum

In drei Schritten wird X-FAB die Fertigungslinie im speziell dafür vorgesehenen MEMS-Reinraum des Unternehmens in Erfurt etablieren, um die Produktionsleistung zu erhöhen und neue Prozessoptionen einzuführen.

In Phase 1 (noch 2010) wird die technische Ausstattung für Bulk-Silizium-Ätzverfahren zum exakt kontrollierbaren Herstellen von Membranen installiert, wie sie zum Beispiel für Drucksensoren, Infrarotsensoren und andere Siliziumstrukturen benötigt werden.

In Phase 2 kommen zu diesen Silizium-Ätzverfahren weitere wesentliche und für die MEMS-Fertigung notwendige Prozesse hinzu, wie Fotolithografie und Dünnschichtdeposition.

In Phase 3 werden darüber hinaus neue Prozesse implementiert, die X-FABs Technologieangebot um Edelmetalle und andere (in CMOS-Fabs nicht übliche Materialien) erweitern. So werden zusätzliche Fertigungsmöglichkeiten für die stetig wachsende Vielfalt von MEMS-Bauelementen bereitgestellt.

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