PCIM 2014 Drei Tage, drei Messehallen und 8006 Fachbesucher

Redakteur: Gerd Kucera

Vom 20. bis 22. Mai 2014 trafen sich Entwickler und Projektverantwortliche aus aller Welt zur größten Messe und Konferenz der Leistungselektronik, intelligenten Antriebstechnik und erneuerbaren Energien.

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Die Hallenaufteilung 2014 führte zu einem gleichmäßigen und guten Besucherstrom.
Die Hallenaufteilung 2014 führte zu einem gleichmäßigen und guten Besucherstrom.
(Bild: Mesago/Thomas Geiger)

Auf 20.000 m2 (18.500 m2 im Vorjahr) präsentierten sich 391 Aussteller und 97 vertretene Firmen in drei Hallen den 8006 internationalen Fachbesuchern. Damit ist die PCIM Europe weiterhin auf solidem Wachstumskurs. Besonders beeindruckend war 2013 ein Besucherplus von 6874 auf 7883 Fachbesucher. Auf der parallel stattfindenden Konferenz informierten sich 710 Teilnehmer über die neuesten Entwicklungen und Trends zu den Themen Leistungselektronik, intelligente Antriebstechnik, erneuerbare Energie und Energiemanagement. Die Hallenaufteilung 2014 führte zu einem gleichmäßigen und guten Besucherstrom.

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Auch in diesem Jahr war das Thema Effizienzsteigerung durch SiC- und GaN-Halbleiter ein auffälliger Schwerpunkt in der Konferenz und Ausstellung. Zu Trends leistungselektronischer Komponenten und Systeme umfasste das Konferenzprogramm 2014 mehr als 240 Präsentationen.

Die Special Session von Prof. Dr.-Ing. Josef Lutz von der TU Chemnitz (beratendes Mitglied im Board of Direktors der PCIM Europe 2014) informierte über erfolgreiche Weiterentwicklungen.

Von ABB gibt es den IGBT mit integrierter Diode, den BiGT, nun für 6,5 kV. Die Diode profitiert von der Integration, sie bleibt soft durch den Effekt der Löcherinjektion auf ihrer Kathodenseite. Der Vortrag der Special Session vertiefte die Problematik, sowohl eine gute Diode als auch einen guten IGBT zu entwerfen. Wie zu erfahren war, untersucht auch die Uni Rostock messtechnisch und mit Simulation die internen Vorgänge in diesem neuen Bauelement.

Cree berichtete über die 2. Generation von SiC-MOSFETS. In einem resonanten DC/DC-Konverter werden sehr hohe Leistungsdichten erreicht. Panasonic integriert in den SiC-MOSFET eine Channel-Diode, die parallel zur Body-Diode liegt. Von Rohm gibt es den 1200-V-SiC-Trench-MOSFET mit Doppel-Trench-Struktur. Der On-Widerstand konnte halbiert werden, ein großer Fortschritt. Dazu kommt eine Schottky-Diode mit nur 0,6-V-Schleusenspannung, die damit 0,3 V niedriger ist als der Stand der Technik.

Weitere Fortschritte gibt es bei kompakten intelligenten Power-Modulen (IPMs), bei denen Treiber und Schutzfunktionen integriert sind. Beiträge dazu kamen von Fairchild, Mitsubishi und Fuji. Speziell für Elektro- und Hybridfahrzeuge hat Fuji ein IPM entwickelt, das die Wasserkühlung in die Grundplatte integriert.

Für SiC-Bauelemente gibt es Konzepte für neue kompakte niederinduktive Gehäuse. Das Thema neues Package für schnelles Schalten wurde ebenfalls in einer Special Session behandelt.

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