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Die physikalischen Grenzen von Silizium überwinden
Die Silizium-Technik stößt gerade bei optoelektronischen Bauelementen an ihre physikalischen Grenzen. Forscher integrieren jetzt neue Materialien in eine Silizium-Plattform. Damit steigt nicht nur die Datenübertragung.
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Seit April arbeitet das Forschungslabor Mikroelektronik für silizium-basierte Optoelektronik an der Brandenburgischen Technischen Universität Cottbus-Senftenberg (BTU). Hier entwickeln die Wissenschaftler an optoelektronischen Bauelementen wie beispielsweise Sensoren und integrierte Lichtquellen. Damit soll eine sicherer, schnelle und gleichzeitig auch energieeffiziente Datenübertragung ermöglicht werden. Einsatz findet die Entwicklung beispielsweise in der Notfallmedizin, um eine Sepsis schnell zu erkennen.
Bisher basieren die meisten elektronischen Schaltungen auf dem Halbleiter Silizium. Der Werkstoff ist aufgrund der relativ geringen Herstellkosten, seiner Kristallstruktur und Spannungsfestigkeit für Anwendungen in der Halbleiterindustrie prädestiniert. Dennoch stößt die Silizium-Technik allmählich an ihre physikalischen Grenzen: Sie ist insbesondere für optoelektronische Bauelemente ineffizient.
Ziel der Forscher ist es, neue Materialien in eine Silizium-Plattform zu integrieren. „Erst wenn wir weitere Halbleiter oder Materialien wie Oxide und Polymere auf der Silizium-Plattform integrieren, können wir neue Anwendungsgebiete erschließen. Wir können damit optische Sensoren herstellen, die weniger Energie verbrauchen als bisher und helfen, die optische Datenübertragung zu ermöglichen“, berichtet Prof. Inga Anita Fischer, Leiterin des Lehrstuhls Experimentalphysik und Funktionale Materialien an der BTU
Gemeinsam mit Prof. Jan Ingo Flege, Fachgebiet Angewandte Physik und Halbleiterspektroskopie, und Prof. Michael Beck, Fachgebiet Allgemeine Elektrotechnik, von der Brandenburgischen Technischen Universität Cottbus-Senftenberg plant Prof. Inga Anita Fischer künftig mit dem Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP) und dem Fraunhofer-Institut für Photonische Mikrosysteme (IPMS) zusammenzuarbeiten.
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Neuer Halbleiterwerkstoff ScAlN soll Grenzen von Silizium überwinden
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