XT018-Prozess-Technologie

Die nächste Generation für Automobil, Industrie und Medizin

| Redakteur: Gerd Kucera

Volker Herbig, X-FAB: „Mit der neuen XT018-SOI-Technologie sind deutlich kompaktere Entwürfe möglich.“
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Volker Herbig, X-FAB: „Mit der neuen XT018-SOI-Technologie sind deutlich kompaktere Entwürfe möglich.“ (Bild: X-FAB)

Ihr neues Angebot an 40- und 60-V-HV-Schaltungselementen für die 180-nm-SOI-Plattform XT018 ist leistungsstärker als Bulk-CMOS-Technologien, betont die X-FAB in Erfurt. Sie erlaube gleichzeitig eine Kostenersparnis bis zu 30%.

Die XT018-Technologie beinhaltet einen entsprechenden Design-Support, wodurch weniger Entwicklungszyklen nötig sind und somit auf Anhieb funktionierende Schaltungsentwürfe entstehen.

Die Technologie erlaube außerdem die wettbewerbsfähige Implementierung von Automobilschaltkreisen der nächsten Generation und verkürze die Markteinführungszeiten, heißt es.

Aufgrund der neuen Schaltungselemente ist der XT018-Prozess ideal für hochmoderne Anwendungen im Automobilbereich, wie monolithische Motorregler und physikalische Schnittstellen (PHY) einschließlich diskreter oder integrierter LIN/CAN-Transceiver.

Volker Herbig, Leiter Produktmarketing bei X-FAB, erläutert die Bedeutung der neuen XT018-Technologie: „Bisher galten SOI-Lösungen als eher exotisch und sehr teuer. Bei unserer XT018-Technologie dagegen werden die zusätzlichen Kosten des SOI Materials durch eine kleinere Chip-Größe, bessere Leistungsmerkmale und ein vereinfachtes Design ausgeglichen. Damit können unsere Kunden Schaltungen entwickeln, die auf Anhieb funktionieren.“

Die XT018-Plattform ist speziell für Anwendungen der nächsten Generation in den Bereichen Automobil, Industrie und Medizin konzipiert, mit Betriebsspannungen bis 200 V und Betriebstemperaturen bis 175 °C.

X-FABs modulare 180-nm-Hochvolt-SOI-CMOS-Technologie XT018 vereint die Vorteile von SOI-Wafern mit tiefer Trenchisolation (DTI) mit denen von hochmodernen 180-nm-Bulk-CMOS-Prozessen mit sechs Metalllagen.

Der Einsatz von SOI-Wafern als Ausgangsmaterial (kombiniert mit Trench-Isolation anstelle der im CMOS-Bereich eher üblichen Sperrschichtisolation) vereinfache das Entwicklungskonzept.

Integrierte Photodioden im ultravioletten Spektralbereich

Hohe Quanteneffizienz

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07.05.15 - Die Quanteneffizienz der 0,35 µm UV-Photodioden von X-FAB beträgt über 70 Prozent. Das erreichten bisher vor allem diskrete Dioden. lesen

Herbig: „Durch die SOI-Wafer entstehen keine parasitären bipolaren Effekte zum Substrat, was das Latch-Up-Risiko reduziert. Die SOI-Wafer erlauben außerdem die Entwicklung von Schaltungselementen wie vollständig isolierten Dioden zur Implementierung von Verpolungsschutz – dieser ist mit Bulk-CMOS- oder BCD-Technologien nur schwer zu realisieren.“

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