III-V-Leistungshalbleiter Cree und APEI wollen gemeinsam den SiC-Markt aufrütteln

Redakteur: Gerd Kucera

Der kürzliche Zukauf von Arkansas Power Electronics International (APEI) soll die Entwicklung von Leistungshalbleiter-Modulen auf Siliziumkarbid-Basis bei Cree noch schneller voran bringen.

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Glaubt man den Analysten von Yole Développement, einem renommierten französischen Marktforschungsinstitut, wird sich der Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern im mittleren und Hochvolt-Bereich (1,2 bis 1,7 kV) bis 2020 global sogar verdoppeln.
Glaubt man den Analysten von Yole Développement, einem renommierten französischen Marktforschungsinstitut, wird sich der Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern im mittleren und Hochvolt-Bereich (1,2 bis 1,7 kV) bis 2020 global sogar verdoppeln.
(Bild: Cree)

Arkansas Power Electronics International Inc (kurz APEI) ist spezialisiert auf die Entwicklung und Herstellung von Power Device mit hoher Leistungsdichte. Dazu gehören Dioden, JFETs, MOSFETs, BJTs, IGBTs, HEMTs und Thyristoren auf Basis von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC).

Cree will mit dem jetzt erfolgten Zukauf von APEI die Entwicklung hochleistungsfähiger Power-Modulen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) vorantreiben und zugleich seine Position am Markt für Power-Anwendungen weiter stärken.

Wachstum bei SiC-basierter Leistungselektronik

In diesem strategischen Merger ergänzen sich das HF- und Power-Business von Cree und das theoretische sowie praktische Wissen von APEI auf System-Ebene in besonderem Maße.

Die beiden Unternehmen haben es sich zum Ziel gesetzt, künftig marktweit stets die bestmöglichen SiC-basierten Power-Produkte bereitzustellen.

„Wir freuen uns, die APEI-Experten und Wegbereitern an Bord zu haben, um das Portfolio an patentierten Lösungen zu integrieren“, konstatiert Frank Plastina, Executive Vice President bei Cree Power und RF.

Plastina: „Damit können wir den Markt für Leistungshalbleiter weiter aufrütteln und so entsteht Raum für neue Entwicklungen. APEI ist führend in der Forschung und Entwicklung von Modulen und Systemen mit Wide-Bandgap-Halbleitern; durch den Zusammenschluss stehen uns deutlich mehr Ressourcen zur Verfügung. Das versetzt uns in die Lage, die gesamte Bandbreite SiC-basierter Power-Module schneller bereitzustellen und den Anforderungen unserer Kunden in Hinblick auf Leistung und Kosten noch besser gerecht zu werden.“

„Die Bündelung unserer Stärken mit denen des Marktführers für SiC-basierte Power-Halbleiter ermöglicht es, unsere Produkte noch schneller auf den Markt bringen zu können“, ergänzt Dr. Alex Lostetter, Präsident und CEO bei APEI, „aufgrund dieser optimalen Kombination von Chip-Technologie und -Packaging nehmen wir eine Vorreiterrolle ein und setzen einen neuen Standard für den Bereich der Power-Module.“

Das Team der Arkansas Power Electronics International Inc (jetzt heißt es: Cree Fayetteville, Inc.) hat seinen Sitz weiterhin in Fayetteville, Arkansas, und arbeitet als Teil der Cree Power- und Hochfrequenz- sowie Wireless-Sparte.

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