Cree kauft Infineons Geschäft für Hochfrequenz-Leistungskomponenten

| Redakteur: Michael Eckstein

Hand drauf: SiC-Spezialist Cree übernimmt die Hochfrequenz- und Leistungshalbleitersparte von Infineon.
Hand drauf: SiC-Spezialist Cree übernimmt die Hochfrequenz- und Leistungshalbleitersparte von Infineon. (Bild: gemeinfrei / CC0)

Cree sieht sich durch die Übernahme gut aufgestellt für schnelle 4G- und 5G-Mobilfunknetze. Infineon will SiC-Wafer langfristig von Cree beziehen.

Das amerikanische Unternehmen Cree kauft Infineon den größten Teil des Geschäfts für Hochfrequenz-Leistungskomponenten ab. Der Kaufpreis beträgt circa 345 Millionen Euro. Mit der Transaktion will Cree unter anderem sein Geschäftsfeld Wolfspeed im Markt für Mobilfunk-Infrastrukturen stärken. Unter dem Namen Wolfspeed hatte Cree vor rund drei Jahren seine Leistungs- und Hochfrequenzabteilungen zusammengefasst. Die Transaktion ist bereits abgeschlossen und tritt umgehend in Kraft. Erst vor wenigen Tagen hatten beide Unternehmen einen langfristen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer ausgehandelt. Siliziumkarbid, kurz SiC, gilt als eine Schlüsseltechnologie für Leistungs- und Hochfrequenzhalbleiter.

Noch Anfang 2017 hatte Infineon vergeblich versucht, die Cree-Tochter Wolfspeed Power & RF und die dazugehörige Rohscheibenentwicklung und -fertigung von Cree komplett für 850 Mio. Dollar zu kaufen. Der Deal platzte, und Cree musste rund 12,5 Mio. Dollar Vertragsstrafe zahlen. Auch in diesem Fall hatte der ressortübergreifender Genehmigungsausschuss der US-Regierung für ausländische Investitionen in den Vereinigten Staaten (CFIUS) Sicherheitsbedenken angemeldet, da Wolfspeed auch militärische Anwendungen bedient. Da beide Unternehmen keine Alternativen finden konnten, die diese Bedenken hätten ausräumen können, scheiterte die Übernahme letztlich.

Nach eigenen Angaben finanziert Cree den Kaufpreis aus seinem Kapitalbestand und über seine revolvierende Kreditlinie. Das Geschäft für Hochfrequenz-Leistungskomponenten von Infineon wird in das Geschäftssegment Wolfspeed von Cree integriert. Ziel ist es laut Cree, den jährlichen Umsatz um rund 115 Millionen US-Dollar in den ersten zwölf Monaten nach der Akquisition zu erhöhen. Darüber hinaus soll die Akquisition zum non-GAAP-Gewinn (Generally Accepted Accounting Principles, Standard für Rechnungslegung) je Cree-Aktie ab dem ersten vollständigen Quartal der Geschäftstätigkeit durch Cree beitragen. Dies wird voraussichtlich das vierte Quartal im Geschäftsjahr von Cree sein, das am 24. Juni 2018 endet.

Übernahme soll Position von Wolfspeed stärken

„Die Übernahme stärkt die Marktposition von Wolfspeed bei GaN-auf-SiC-Technologien im Hochfrequenzbereich“, sagt Gregg Lowe, CEO von Cree. Sein Unternehmen würde außerdem Zugang zu zusätzlichen Märkten und Kunden gewinnen und könnte seine Kompetenz in der Gehäusetechnologie erweitern. Die Transaktion sei ein wichtiger Bestandteil der Wachstumsstrategie von Cree: „Wolfspeed ist dadurch gut aufgestellt, um schnellere 4G-Netzwerke und den bevorstehenden Übergang zu 5G, der Mobilfunktechnologie der neuesten Generation, zu unterstützen.”

Reinhard Ploss, Vorstandsvorsitzender von Infineon, sieht seinen ehemaligen Geschäftsbereich für Hochfrequenz-Leistungskomponenten in guten Händen. „Das Geschäftsmodell und die Marktaussichten des zusammengeführten Geschäfts sind für uns sehr überzeugend. Gleichzeitig werden wir das Geschäft in unseren strategischen Wachstumsbereichen vorantreiben und bei Infineon ein starkes Technologieportfolio für den Mobilfunkmarkt behalten.“

Auch HF-Experten wechseln zu Cree

Infineon und Cree arbeiten seit langem als Technologieführer zusammen und ergänzen sich nach eigenen Angaben in ihren Geschäftsinteressen. Das Know-how und die Experten für Hochfrequenz-Leistungskomponenten, die von Infineon nach Cree wechseln, erweitern demnach das bestehende Angebot von Wolfspeed um zusätzliche Technologien, Designkompetenz sowie um Fertigungskapazitäten, Gehäusetechnologie und Kundenbeziehungen. Beide Unternehmen sind überzeugt, dass das kombinierte Geschäft eine führende Marktposition im Vertrieb von Transistoren und MMICs (Monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen) für drahtlose Infrastruktur-Hochfrequenz-Leistungskomponenten einnehmen, die auf den Technologien LDMOS und Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) basieren.

Zur Transaktion gehören das Geschäft mit Hochfrequenz-Leistungskomponenten für Mobilfunk-Infrastruktur von Infineon in Morgan Hill und Chandler in den USA sowie Standorte in China, Schweden, Finnland und Südkorea. Die führende Backend-Fertigung in Morgan Hill sowie darüber hinaus geistiges Eigentum (IP) und ein Technologieportfolio sind ebenfalls Bestandteile der Transaktion. Die Geschäftstätigkeit des Segments Chip Card & Security (CCS) in Morgan Hill verbleibt unverändert bei Infineon. Konkret sind folgende Bestandteile Teil der Übernahme:

  • Die Haupt-Backend-Fertigungsstätte in Morgan Hill, wo Packaging und Test für LDMOS und GaN-auf-SiC durchgeführt werden,
  • Internationale Vertriebsbüros und Service-Ingenieure, die enge Kundenbeziehungen zu den führenden Herstellern von Ausrüstung für Mobilfunk-Infrastruktur haben,
  • Etwa 260 Angestellte an den Standorten in den USA, Morgan Hill (Kalifornien) und Chandler (Arizona) sowie in Finnland, Schweden, China und Südkorea,
  • Ein Servicevertrag für den Geschäftsübergang, in dessen Rahmen Infineon die wesentlichen Geschäftsvorgänge für etwa 90 Tage ausführen wird und so Kontinuität und einen reibungslosen Übergang gewährleistet.

Infineon unterstützt die Transaktion wie beschrieben mit einer langfristigen Liefervereinbarung für LDMOS-Wafer und zugehörige Komponenten aus seiner Fabrik in Regensburg und durch Packaging und Tests an seinem Standort Melaka, Malaysia. „Wir freuen uns, unsere Stärken in das gemeinsame Geschäft mit Cree einzubringen“, sagte Gerhard Wolf, der das Geschäft mit Hochfrequenz-Leistungskomponenten bei Infineon leitet. „Mit unserem hochqualifizierten und engagierten Team sowie unseren führenden Technologien streben wir exzellente Leistungen an und werden unsere Kunden nahtlos beim Aufbau des neuen Mobilfunkstandards 5G unterstützen.“

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