Cree erhöht SiC-Produktion um das 30-Fache und wird exklusiver VW-Partner

| Redakteur: Gerd Kucera

Sowohl die SiC-Wafer-Fertigung als auch die Produktion von Rohmaterialien sollen jeweils um das bis zu 30-Fache gesteigert werden.
Sowohl die SiC-Wafer-Fertigung als auch die Produktion von Rohmaterialien sollen jeweils um das bis zu 30-Fache gesteigert werden. (Bild: Cree)

Um die Bauteilnachfrage für E-Autos und 5G zu bedienen, will Cree insgesamt 1 Mrd. US-$ u.a. in eine 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer-Fertigung und Materials-Mega-Factory am Hauptsitz investieren.

Nach offizieller Angabe von Cree handelt es sich bei der Investion um die bisher größte Ausgabe des Unternehmens zum Ausbau ihres Wolfspeed-Geschäfts mit Siliziumkarbid und GaN auf Siliziumkarbid (SiC). Mit der Fertigstellung im Jahr 2024 werden die Anlagen die Kapazitäten für SiC-Materialien und die Wafer-Herstellung des Unternehmens erheblich erhöhen. Dies soll Wide-Bandgap-Halbleiterlösungen für einen drastischen Technologiewechsel in den Märkten E-Automobile, Kommunikationsinfrastruktur und Industrie ermöglichen.

Die geplanten Ausgaben teilen sich auf in: 450 Mio. US-$ für die North Fab; 450 Mio. US-$ für die Materials-Mega-Factory und 100 Mio. US-$ für andere Investitionen im Zusammenhang mit dem Geschäftsausbau. Diese Expansion hat das Ziel einer bis zu 30-fachen Steigerung der Produktionskapazität für SiC-Wafer sowie einer 30-fachen Steigerung der SiC-Materialproduktion, um auf das erwartete Marktwachstum bis 2024 zu reagieren.

„Wir sehen weiterhin großes Interesse der Branchen Automobil und Kommunikationsinfrastruktur, die die Vorteile von Siliziumkarbid zur Innovationsförderung nutzen wollen. Die Nachfrage nach Siliziumkarbid hat jedoch längst das verfügbare Angebot übertroffen“, konstatiert Gregg Lowe, CEO von Cree, „diese Investition in die Ausrüstung, die Infrastruktur und in die Mitarbeiter versetzt uns in die Lage, unsere Kapazitäten in der Siliziumkarbid-Wafer-Fertigung und Produktion von Rohmaterialien um das bis zu 30-Fache gegenüber dem ersten Quartal des Geschäftsjahres 2017 zu steigern, in dem wir mit der ersten Phase des Kapazitätsausbaus begonnen haben. Wir glauben, dass dies es uns ermöglichen wird, das erwartete Nachfragewachstum für Wolfspeeds Siliziumkarbid-Produkte in den kommenden fünf Jahren und darüber hinaus zu befriedigen.“

Der Plan liefert zusätzliche Fertigungskapazitäten für das Wolfspeed-SiC-Geschäft; hierin ist der Ausbau einer bestehenden Liegenschaft zu einer 23.500 m2 großen Produktionsstätte für 200-mm-Power- und RF-Wafer ein erster Schritt, um die prognostizierte Marktnachfrage zu bedienen. Die neue North Fab ist darauf ausgelegt, die hohen Qualifikationsanforderungen der Automobilbranche zu erfüllen und wird eine fast 18-mal größere Produktionsfläche bieten als heute, auf der zu Beginn 150-mm-Wafer gefertigt werden. Cree wird seine bestehende Durham-Fertigungs- und Materialfabrik in eine Materials-Mega-Factory umwandeln.

Gregg Lowe: „Wir glauben, dass dies die größte Investition ist in der Geschichte der SiC- und GaN-Technologie und SiC- und GaN-Produktion, mit fiskalisch verantwortungsbewusster Ausrichtung. Durch die Nutzung vorhandener Einrichtungen und den Einbau größtenteils existierender, modernisierter Fertigungstechnik, glauben wir ebenso, eine hochmoderne 200-mm-Produktionsstätte zu etwa einem Drittel der Kosten einer neuen Fabrik errichten zu können.“

Der erweiterte Campus schafft zudem High-Tech-Arbeitsplätze und wird als Initiative zur Weiterentwicklung von Mitarbeitern im Fertigungsbereich dienen. Cree plant, mit verschiedenen staatlichen und Hochschul-Partnern zusammenzuarbeiten, um Ausbildungsprogramme zu entwickeln, die die Mitarbeiter auf die langfristigen, hochwertigen Beschäftigungs- und Wachstumschancen der neuen Einrichtungen vorbereiten.

Innovations-"Motor" Siliziumkarbid und Volkswagen

Der Einsatz von Siliziumkarbid-Halbleitern beschleunigt die Umstellung der Automobilindustrie auf Elektrofahrzeuge und ermöglicht höhere Systemeffizienzen, die dazu führen, dass die Reichweite von Elektroautos erweitert und ihre Ladezeiten verkürzt werden, während gleichzeitig Kosten gesenkt, Gewicht verringert und Platz gespart wird.

In diesem Umfeld wurde Cree als exklusiver Siliziumkarbid-Partner für die Initiative „Future Automotive Supply Tracks“ (FAST) des Volkswagen-Konzerns ausgewählt. Ziel von FAST ist es, gemeinsam technische Innovationen noch schneller als bisher umzusetzen und globale Fahrzeugprojekte noch effizienter und effektiver zu realisieren.

Dazu Gregg Lowe: „Die Technologie von Cree steht im Mittelpunkt des dramatischen Wandels der Elektromobilität, und wir sind entschlossen, die Automobilindustrie beim Übergang zu effizienteren, leistungsfähigeren Lösungen auf Siliziumkarbid-Basis zu unterstützen.“

Michael Bäcker, Head of Volkswagen Purchasing Connectivity, erklärt dazu:„Der Volkswagen-Konzern hat sich verpflichtet, in den nächsten zehn Jahren rund 70 neue Elektrofahrzeugmodelle auf den Markt zu bringen, was über unsere Zusage von 50 Modellen hinausgeht und die prognostizierte Zahl der Fahrzeuge, die auf den Plattformen des Konzerns für Elektroautos gebaut werden sollen, von 15 Millionen auf 22 Millionen in diesem Zeitraum erhöht. Unsere FAST-Partner sind unsere strategischen Partner, die in ihrer jeweiligen Branche herausragend sind.“

Diese Vereinbarung verbindet zwei gleichzeitig stattfindende Umbrüche: den Wechsel der Automobilindustrie von Verbrennungsmotoren hin zu Elektrofahrzeugen und die zunehmende Nutzung von Siliziumkarbid im Halbleitermarkt. Darüber hinaus fungiert sie als Innovationstreiber für beide Seiten, sodass der Volkswagen-Konzern seine Kunden besser bedienen kann. Der Volkswagen-Konzern und Cree werden mit Tier-One-Lieferanten und Herstellern von Power-Modulen zusammenarbeiten, um Lösungen auf Siliziumkarbid-Basis für zukünftige Fahrzeuge des Volkswagen Konzerns zu entwickeln.

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