Nachrichtenarchiv

Cree erhöht SiC-Produktion um das 30-Fache und wird exklusiver VW-Partner

Cree erhöht SiC-Produktion um das 30-Fache und wird exklusiver VW-Partner

Um die Bauteilnachfrage für E-Autos und 5G zu bedienen, will Cree insgesamt 1 Mrd. US-$ u.a. in eine 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer-Fertigung und Materials-Mega-Factory am Hauptsitz investieren. lesen

IGBT, MOSFET, SiC & GaN: E-Mobilität beflügelt Leistungselektronik

IGBT, MOSFET, SiC & GaN: E-Mobilität beflügelt Leistungselektronik

Die 41. PCIM Europe schloss mit sehr guten Ergebnis ab, sowohl in der Ausstellung als auch in der Konferenz für Leistungselektronik und ihre Anwendungen. lesen

PCIM Europe 2019: Die Gewinner des Best Paper & Young Engineer Award

PCIM Europe 2019: Die Gewinner des Best Paper & Young Engineer Award

Im Rahmen der Eröffnungsveranstaltung der PCIM Europe Konferenz 2019 wurden der Gewinner des Best Paper Award und die drei Gewinner des Young Engineer Awards ausgezeichnet. lesen

Große Fortschritte bei Silizium- und Wide-Bandgap-Bauelementen

Große Fortschritte bei Silizium- und Wide-Bandgap-Bauelementen

Die Konferenz zur PCIM Europe (7.5.-9.5.2019 in Nürnberg) zeigt wieder wichtige Neuerungen bei den Power Devices. Einige besonders interessante Lösungen sind hier kurz zusammengefasst. lesen

Warum Sie am Praxisforum Elektrische Antriebstechnik 2019 teilnehmen sollten

Warum Sie am Praxisforum Elektrische Antriebstechnik 2019 teilnehmen sollten

Von 25. bis 27. März 2019 trifft sich die Branche zum „Praxisforum Elektrische Antriebstechnik“ im Congress Centrum Würzburg. Warum Sie sich die mittlerweile sechste Veranstaltung keinesfalls entgehen lassen dürfen, lesen Sie hier. lesen

Leistungshalbleiter: Defekte in SiC-MOSFETs schneller finden

Leistungshalbleiter: Defekte in SiC-MOSFETs schneller finden

Forscher der Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU) haben eine einfache und zugleich präzise Methode entwickelt, mit der sie Defekte in Leistungstransistoren aus Siliziumkarbid aufspüren können. lesen

Neuer Halbleiterwerkstoff ScAlN soll Grenzen von Silizium überwinden

Neuer Halbleiterwerkstoff ScAlN soll Grenzen von Silizium überwinden

Elektronikanwendungen wachsen signifikant und fordern immer kompaktere und effizientere leistungselektronische Systeme. Die bislang dominierende Schaltungstechnik auf Basis von Silicium wird den steigenden industriellen Ansprüchen in absehbarer Zeit nicht mehr gerecht werden. ScAlN könnte die Lösung sein. lesen

Leistungstransistoren: Wie die Architektur des HEMT Elektronen beim Fließen helfen kann

Leistungstransistoren: Wie die Architektur des HEMT Elektronen beim Fließen helfen kann

Forschende am Paul Scherrer Institut (PSI) haben nun erstmals den Elektronen in Leistungstransistoren aus Galliumnitrid beim Fließen zugeschaut. Das Ergebnis: Wenn man den Galliumnitrid-Transistor im Hochspannungsbetrieb untersucht, bewegen sich die Elektronen in bestimmte Richtungen effizienter. lesen

PCIM Europe 2018: von Automotive bis Wide Bandgap

PCIM Europe 2018: von Automotive bis Wide Bandgap

Wieder einmal hat die PCIM Europe ihre Bedeutung als Leitmesse der Branche unter Beweis gestellt. Die Themenbandbreite der Lösungen und aktuelle Forschungsergebnisse reichten von Automotive bis Wide Bandgap. lesen

Wie Stromversorgungslösungen die Robotik verändern

Wie Stromversorgungslösungen die Robotik verändern

Elektrische Antriebe rücken in die Aktoren vor: MOSFETs, IGBTs, Inverter, Motion-Chips und andere Komponenten in Silizium und SiC schaffen Alternativen zur klassischen Kabelführung und Stromversorgung. lesen