Nachrichtenarchiv

Sandisk bringt microSD mit 1TByte Speicherplatz auf den Markt

Sandisk bringt microSD mit 1TByte Speicherplatz auf den Markt

Auf dem diesjährigen Mobile World Kongress hatten sowohl Samsung als auch Micron erstmals microSD-Karten mit einer Rekord-Speicherkapazität von 1TByte angekündigt. Die microSD-UHS-I-Karte von Sandisk ist nun zum Preis von 450 US-$ erhältlich. lesen

Schwächelnder Halbleitermarkt: So reagieren erfahrene Unternehmen

Schwächelnder Halbleitermarkt: So reagieren erfahrene Unternehmen

Trübe Aussichten: Schwache Quartalszahlen und zum Teil nachlassende Börsenkurse von Branchenschwergewichten wie Samsung, Intel, TI und ST zeigen, wie sehr die weltweiten Unwägbarkeiten Halbleiterfirmen zusetzen. Jetzt heißt es antizyklisch zu investieren. lesen

Einbruch bei Speichern drückt den Halbleitermarkt nach unten

Einbruch bei Speichern drückt den Halbleitermarkt nach unten

In den letzten Jahren waren Speicher die Triebfeder der weltweiten Halbleiterumsätze. Die nun bröckelnden Preise werden sich 2019 aber sehr negativ auf das Wachstum des gesamten Chipmarktes auswirken: Der Speichermarkt soll um fast ein Viertel seines Volumens einbrechen. lesen

DRAM und NAND: Bröckelnde Preise bremsen Samsung aus

DRAM und NAND: Bröckelnde Preise bremsen Samsung aus

Intel überholt Samsung: Mit dem Preisverfall für DRAM und NAND büßt der weltgrößte Speicherhersteller massiv Umsatz ein. Chip-Rivale Intel profitiert und könnte 2019 wieder zum umsatzstärksten Halbleiterhersteller werden. Das sind nicht die einzigen Auswirkungen des schwächelnden Speichermarktes. lesen

Embedded MRAM: Samsung bringt 1-GBit-Chips auf 28-nm-FD-SOI-Basis

Embedded MRAM: Samsung bringt 1-GBit-Chips auf 28-nm-FD-SOI-Basis

Der weltgrößte Chiphersteller setzt auf MRAM: Die magnetoresistive Speichertechnologie soll die Unzulänglichkeiten bisheriger Flash-Speicher überwinden. Auch die gute Integrierbarkeit in bestehende CMOS-Prozesse spricht laut Samsung für die Technik. lesen

Flash-Flitzer: Neuer Speicher ist 5x schneller und benötigt 70% weniger Energie

Flash-Flitzer: Neuer Speicher ist 5x schneller und benötigt 70% weniger Energie

Mit patentierter Low-Power-Technologie, neuen Security-Funktionen und einer Speicherkapazität von bis zu 32 MBit erweitert Adesto seine auf IoT-Anwendungen zielende Fusion-Flash-Baureihe. Intelligente Detaillösungen lassen FusionHD aus der Masse herkömmlicher nichtflüchtiger NOR-Flash-Speicherlösungen herausragen. lesen

Transparente Folien als wiederbeschreibbarer Speicher

Transparente Folien als wiederbeschreibbarer Speicher

Forscher haben eine neue Möglichkeit entwickelt, Informationen in eine transparente Folie zu speichern. Dabei spielt Sauerstoff eine entscheidende Rolle. lesen

eUFS-Embedded-Flash: Samsung knackt 1-TByte-Marke

eUFS-Embedded-Flash: Samsung knackt 1-TByte-Marke

Gleich groß wie der Vorgänger, aber doppelte Kapazität: Der neue eUFS-V-NAND-Chip von Samsung bietet 20 Mal mehr Speicherplatz als ein heute üblicher 64-GByte-Speicher. Damit stoßen Smartphones in Speicherregionen vor, die bislang Notebooks vorbehalten waren. lesen

Phase-Change Memory: Automotive-Mikrocontroller mit Embedded-PCM

Phase-Change Memory: Automotive-Mikrocontroller mit Embedded-PCM

Der neue nichtflüchtige Embedded-PCM-Speicher von STMicroelectronics funktioniert auch bei +165 °C und erfüllt AEC-Q100 Grad 0. Die neuen Chips nutzen die Vorteile der Silicon-on-Insulator-(SOI-)Technologie – genau wie die SOTB-Embedded-Controller von Konkurrent Renesas. lesen

MESO statt CMOS: Die Halbleiterwelt rüstet sich für ihren Untergang

MESO statt CMOS: Die Halbleiterwelt rüstet sich für ihren Untergang

Magneto-elektrische Spin-Orbit-Materialien haben das Potenzial, CMOS als Basis für Speicher- und Logik-ICs abzulösen. Davon sind Forscher von Intel und der University of California in Berkeley überzeugt. lesen