SiC bleibt bei Gleichrichtern eine Nischentechnologie



  • SiC bleibt bei Gleichrichtern eine Nischentechnologie

    Wer die Medien aufmerksam verfolgt hat den Eindruck, dass Halbleiter auf Silizium-Basis durch Wide-Bandgap-Materialien ersetzt werden. Wenn es um Gleichrichter und Dioden geht, trifft das nicht zu. Das weiß Jos van Loo, renommierter Applikationsexperte, und erklärt nachfolgend den Grund.

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  • Der Artikel ist interessant. Ich habe selbst zwar noch keine SiC-Dioden eingesetzt, aber öfters schonmal mit dem Gedanken gespielt, dies zu tun. Man möchte eben alles tun, um die elektrischen Verluste zu minimieren - der Umwelt zuliebe.
    Da gibt es z.B. die 10 A Diode IDD10SG60C von Infineon. Laut Datenblatt verträgt die aber nur den fünffachen Strom in einer 50 Hz Halbwelle. Oh weh. Da habe ich noch nie hingeschaut. Die 50 A Stoßstrom erreicht man schon bei einer Einschaltspannung von 5 Volt bei einem differenziellen Widerstand der Diode von 0,1 Ohm wie bei der IDD10SG60C, allerdings sehr kurz. Den absolutmaximalen Datenblattwert von 400 A überschreitet man schon, wenn es der Zufall will, dass man bei 40 Volt oder darüber die Netzphasenlage trifft.
    Wenn man sich im Vergleich dazu die 10A Siliziumdiode 10ETF06SLHM3 von Vishay anschaut, wird der Unterschied klar. Die 10 ms Kurzzeit-Stromlast darf fast 3 mal so groß sein. Insbesondere das I²t-Produkt ist fünf mal größer.
    Wieder was gelernt.


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