Bondbändchen für die nächste Generation der Leistungselektronik

Heraeus Electronics hat die Produktfamilie PowerCuSoft um ein Bondbändchen erweitert. Mit dieser Bondbändchen-Generation soll es möglich sein, das volle Potential der neuen SiC-Chips zu nutzen.

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ROHM Semiconductor GmbH

Chips 4 Light GmbH

Mit dem Kupfer-Bondbänchen PowerCuSoft Ribbon von Heraeus lassen sich laut Hersteller Leistungsmodule auf Basis von Siliziumkarbid zuverlässiger, wirkungsvoller und kostengünstiger designen und herstellen. Das Bondbänchen ist optimiert für die Oberflächenkontaktierung von SiC-Leistungshalbleitern mit breitem Bandabstand (Wide Bandgap Semiconductors).

Kupfer bietet bessere thermische, elektrische und mechanische Eigenschaften im Vergleich zu Aluminiumdrähten und -bändchen. Der Werkstoff hat eine bessere Wärmeleitfähigkeit als Aluminium und kann höhere Modultemperaturen aushalten – das verbessert die Lebensdauer und Zuverlässigkeit von Leistungsmodulen.

Das Bondbändchen hält Modultemperaturen bis zu 250°C aus. In Tests zeigen Kupferbändchen eine zehn bis zwanzig-fach längere Lebensdauer als vergleichbare Produkte aus Aluminium bei zeitgleich erhöhter Energiedichte im Modul.

„SiC-Halbleiter sind aufgrund ihrer hohen Leistungsdichte auf der Überholspur“ sagt Christian Kersting, Product Manager Power Bonding Wires bei Heraeus Electronics. „Um die Vorteile dieser Produkte nutzen zu können, brauchen Modul-Hersteller leistungsstarke Aufbau- und Verbindungstechniken.“

Im Vergleich zu Kupferdrähten bieten Bändchen zudem Kostenvorteile, da ein Band mehrere Kupferdrähte ersetzt. Hersteller sind so im Stande, bei steigendem Ausstoß die Herstellkosten pro Modul zu optimieren. Abhängig vom Moduldesign soll sogar die doppelte Anzahl von Modulen pro Stunde produziert werden können.

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