Suchen

SiC-MOSFET Bis 35% geringere Schaltverluste

| Redakteur: Gerd Kucera

Firmen zum Thema

(Bild: ROHM)

Sechs neue SiC-MOSFETs (650V/1200V) mit Trench-Gate-Struktur gibt es von ROHM. Die SCT3xxx xR-Serie hat ein TO-247-4L-Gehäuse mit vier Anschlüssen, das die Schaltleistung maximiert und die Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Gehäusetypen mit drei Anschlüssen (TO-247N) um bis zu 35% reduziert. Drei 650-V-Version haben bei 25 °C On-Widerstände von 30, 60 oder 80 mΩ, Nennströme von 70, 39 oder 30 A sowie max. Verluste von 262, 165 oder 134 W. Die 1200-V-Varianten haben 40, 80, oder 105 mΩ, Nennströme von 55, 31 oder 24 A sowie max. Verluste von 262, 165 oder 134 W.

(ID:46184468)