Power-MOSFET Bis 10% geringerer On-Widerstand im Vergleich zum Wettbewerb

Redakteur: Gerd Kucera

Anbieter zum Thema

Vishay präsentiert einen Dual-20-V-p-Kanal-TrenchFET-Gen-III-Leistungs-MOSFET mit dem laut Hersteller niedrigsten On-Widerstand bei 8 V Gate-Source-Spannung, der jemals bei einem Dual-p-Kanal-Typ im thermisch optimierten 2 mm x 2 mm großen PowerPAK-SC-70-Gehäuse erzielt wurde. Der SiA923EDJ ist vorgesehen für DC/DC-Wandler-, Akkulader- und Lastschalter-Anwendungen in mobilen Geräten wie Smart Phones, MP3-Player, Tablet PCs und eBooks. Der niedrige On-Widerstand führt zu entsprechend geringen Durchlassverlusten; das spart Strom und kommt der Akkulaufzeit zugute. Der Power-MOSFET hat einen On-Widerstand von 54 mΩ bei 4,5 V, 70 mΩ bei 2,5 V, 104 mΩ bei 1,8 V und 165 mΩ bei 1,5 V Gate-Source-Spannung. Das nächstbeste für 8 V Gate-Source-Spannung spezifizierte p-Kanal-Wettbewerbsprodukt biete einen On-Widerstand von 60 mΩ bei 4,5 V, 80 mΩ bei 2,5 V, 110 mΩ bei 1,8 V und 170 mΩ bei 1,5 V. Diese Werte liegen um 10%, 12%, 5% bzw. 3% höher als beim SiA923EDJ.

Jetzt Newsletter abonnieren

Verpassen Sie nicht unsere besten Inhalte

Mit Klick auf „Newsletter abonnieren“ erkläre ich mich mit der Verarbeitung und Nutzung meiner Daten gemäß Einwilligungserklärung (bitte aufklappen für Details) einverstanden und akzeptiere die Nutzungsbedingungen. Weitere Informationen finde ich in unserer Datenschutzerklärung.

Aufklappen für Details zu Ihrer Einwilligung

(ID:26493470)