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Bausteine mit 80% weniger Qrr

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Infineon)

Mit den neu eingeführten 650-V-CoolSiC-MOSFETs reagiert Infineon auf die wachsende Nachfrage nach Energieeffizienz, Leistungsdichte und Robustheit für eine Vielzahl von Anwendungen. Von den neuen Bauteilen profitieren Server-, Telekommunikations- und Industrie- Schaltnetzteile, Solarenergie-Systeme, Energiespeicher und Anlagen für die Batterieformation, USV, Motorantriebe sowie Ladesysteme für Elektroautos. Die CoolSiC MOSFETs haben einen Einschaltwiderstand von 27 mΩ bis 107 mΩ. Sie sind sowohl im klassischen TO-247 3-Pin- als auch im TO-247 4-Pin-Gehäuse erhältlich, das noch geringere Schaltverluste ermöglicht. Wie alle zuvor eingeführten CoolSiC-MOSFET-Produkte basiert auch die neue 650-V-Familie auf der Trench-Technologie von Infineon. Die Bauelemente zeichnen sich durch robuste und stabile Body-Dioden aus, die ein sehr niedriges Qrr-Niveau haben. Es liegt etwa 80% niedriger als bei den besten Superjunction CoolMOS-MOSFETs. Um den Schaltungsentwurf mit den CoolSiC-MOSFETs in Anwendungen zu vereinfachen, bietet Infineon galvanisch isolierte ein- und zweikanalige EiceDRIVER-Gate-Treiber-ICs an.

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