Dr.-Ing. Martin Schulz

Fundamente der Elektronik: Georg Simon Ohm erkannte 1821 die Proportionalität von Strom, Widerstand und Spannung; Jöns Jakob Berzelius entdeckte 1818 das Selen, 1823 Silizium und 1824 Tantal.

Steigende Leistungsdichte führt unausweichlich zu höherer Chiptemperatur. Modulhersteller und Geräteentwickler müssen sicherstellen, dass das thermische Problem beherrschbar bleibt. Infineon geht innovative Wege, um das zu gewährleisten.

Auf abstrakter Definitionsebene, fern einer realen Applikation, gilt der ideale Zustand. In dieser Folge zum Thema „Grundlagen der Leistungshalbleiter“ betrachtet der Autor die thermo-mechanische Realität.

Das Ansteuern moderner IGBT-Halbleitermodule ist eine Ingenieurkunst für sich. Beim Entwurf geeigneter Treiberstufen wiederholt sich die Aufgabe ebenso, wie es die vermeidbaren Fehler tun.

Zerschossen, zerschraubt, zerrissen, kaputtgeschüttelt, überdehnt: Leistungshalbleiter sind Diven und wollen auch so behandelt werden. Einige mechanische Grundlagen gilt es zu berücksichtigen.

IGBTs sind heute nahe an dem, was als idealer Schalter angesehen wird. Worin unterscheidet sich der IGBT vom MOSFET? Welche Vorzüge hat der IGBT und wie funktioniert er?

Zur Auslegung leistungselektronischer Geräte ist die genaue Kenntnis der thermischen Situation der Leistungshalbleiter unumgänglich. Doch die Bestimmung ist häufig mit mehr Tücken behaftet als erwartet.

Leistungselektronik stößt an die Grenzen des technisch Machbaren. Die nächste Halbleiter-Generation durchläuft deshalb einige radikale Veränderungen in Bezug auf Materialien und AVT.

IGBTs sind heute nahe an dem, was als idealer Schalter angesehen wird. Worin unterscheidet sich der IGBT vom MOSFET? Welche Vorzüge hat der IGBT und wie funktioniert er?

Das Ansteuern moderner IGBT-Halbleitermodule ist eine Ingenieurkunst für sich. Beim Entwurf geeigneter Treiberstufen wiederholt sich die Aufgabe ebenso, wie es die vermeidbaren Fehler tun.

Fundamente der Elektronik: Georg Simon Ohm erkannte 1821 die Proportionalität von Strom, Widerstand und Spannung; Jöns Jakob Berzelius entdeckte 1818 das Selen, 1823 Silizium und 1824 Tantal.

Zerschossen, zerschraubt, zerrissen, kaputtgeschüttelt, überdehnt: Leistungshalbleiter sind Diven und wollen auch so behandelt werden. Einige mechanische Grundlagen gilt es zu berücksichtigen.

Steigende Leistungsdichte führt unausweichlich zu höherer Chiptemperatur. Modulhersteller und Geräteentwickler müssen sicherstellen, dass das thermische Problem beherrschbar bleibt. Infineon geht innovative Wege, um das zu gewährleisten.

Auf abstrakter Definitionsebene, fern einer realen Applikation, gilt der ideale Zustand. In dieser Folge zum Thema „Grundlagen der Leistungshalbleiter“ betrachtet der Autor die thermo-mechanische Realität.

Leistungselektronik stößt an die Grenzen des technisch Machbaren. Die nächste Halbleiter-Generation durchläuft deshalb einige radikale Veränderungen in Bezug auf Materialien und AVT.

Zur Auslegung leistungselektronischer Geräte ist die genaue Kenntnis der thermischen Situation der Leistungshalbleiter unumgänglich. Doch die Bestimmung ist häufig mit mehr Tücken behaftet als erwartet.