MOSFET AEC-Q101-qualifizierte Trench-9-MOSFETs sparen Platz

Redakteur: Kristin Rinortner

Die Superjunction-MOSFETs im LFPAK56/56E-Gehäuse von Nexperia haben einen bis zu 30% kleineren RDS(on). Der Hersteller bietet eigenen Angaben zufolge das größte Angebot an AEC-qualifizierten SO8-Leistungs-MOSFETs.

Firmen zum Thema

(Bild: Nexperia)

Nexperia präsentiert Trench-9-Leistungs-MOSFETs für die Automobilindustrie, die die Low-voltage-Superjunction-Technik mit kleinen Gehäusen kombiniert. Die MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert und übertreffen laut Hersteller bei den wichtigsten Zuverlässigkeitstests – darunter Temperaturzyklus, Hochtemperatur-Gate-Bias, Hochtemperatur-Sperrspannung und Lebensdauer bei intermittierendem Betrieb – die Anfor-derungen des Automotive-Standards um den Faktor 2.

LFPAK56E ist der aktuelle Zugang der Gehäusefamilie LFPAK. Dabei handelt es sich um eine verbesserte Version des LFPAK56-Gehäuses, bei der der Lead-Frame und das Gehäusedesign optimiert wurden. Ergebnis sind ein um 30%besserer RDS(on) und Leistungsdichte. Dadurch eignen sich die MOSFETs für Anwendungen, für die man bisher Typen im D2PAK- oder D2PAK-7-Gehäuse verwenden musste. Zudem soll die Superjunction-Technik im Vergleich zu konkurrierenden Produkten ein verbessertes Avalanche-Verhalten und einen größeren sicheren Arbeitsbereich bieten.

(ID:44930838)