Superjunction-MOSFETs 950-V-CoolMOS P7-Schalter für PFC- und Flyback-Topologien

Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Infineon)

Leistungsstarke Low-Power-Schaltnetzteile benötigen immer mehr Hochvolt-MOSFETs. Infineon ergänzt für diese und andere Anwendungen die CoolMOS P7-Familie mit 950-V-CoolMOS P7-Superjunction-MOSFETs. Die Bauteile im DPAK-Gehäuse haben einen sehr geringen Durchlasswiderstand und optimierte Spezifikationen für die Gate-Source-Spannung (geringe VGS(th)-Spannung mit geringster Toleranz). Wie die anderen Komponenten der P7-Familie bieten auch diese neuen Leistungsschalter eine integrierte Zener-Diode als Schutz bei elektrostatischen Entladungen (ESD). Damit wird die Bestückung vereinfacht, während sich zusätzlich eine geringere Fehlerrate im Feld und geringere Kosten bedingt durch elektrostatische Produktionsfehler ergeben. Die 950-V-CoolMOS-P7-Bauelemente ermöglichen eine Erhöhung des Wirkungsgrades um bis zu einem Prozent, versichert der Hersteller, und eine um 2 bis 10 °C geringere MOSFET-Temperatur. Im Vergleich zu den Vorgänger-Generationen der CoolMOS-Familie konnten die Schaltverluste nochmals um bis zu 58 Prozent reduziert werden. Die 950-V-CoolMOS-P7 MOSFETs sind in verschiedenen Gehäusen verfügbar: TO-220 FullPAK, TO-251 IPAK LL, TO-252 DPAK und SOT-223. So kann von Durchsteck-Varianten (THT) auf SMT-Bestückung gewechselt werden. Die im Bild gezeigte 950-V-CoolMOS-P7-Superjunction-MOSFET-Version erfüllt die Design-in-Anforderungen in Beleuchtungsanwendungen, Smart-Metern, mobilen Ladungssystemen, Notebook-Adaptern, externen Stromversorgungen und industriellen Schaltnetzteil-Applikationen.

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