Power-MOSFET 600-V-FET mit 0,190 Ω On-Widerstand

Redakteur: Gerd Kucera

Vishay Intertechnology präsentiert vier neue 600-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F-, TO-247- und TO-263-Gehäuse. Es sind die ersten Typen in Super-Junction-FET-Technologie, die in diesen

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Vishay Intertechnology präsentiert vier neue 600-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F-, TO-247- und TO-263-Gehäuse. Es sind die ersten Typen in Super-Junction-FET-Technologie, die in diesen Gehäusebauformen angeboten werden. Die Bausteine SiHP22N60S (TO-220), SiHF22N60S (TO-220 FULLPAK), SiHG22N60S (TO-247) und SiHB22N60S (TO-263) sind für 600 V Sperrspannung ausgelegt und haben bei 10 V Gate-Spannung einen On-Widerstand von maximal 0,190 Ω. Der niedrige RDS(on) führt zu geringeren Durchlassverlusten und zu Energieeinsparungen bei Leistungsfaktorkorrektur- und Pulsbreitenmodulations-Anwendungen. Eine weitere Besonderheit ist die geringe Gate-Ladung von 98 nC. Das Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand, ein wichtiges Leistungsmerkmal von MOSFETs, die für Spannungswandleranwendungen vorgesehen sind (kurz FOM, Figure of Merit), beträgt 18,62 ΩxnC. Die Spitzenstrombelastbarkeit beträgt 65 A (Puls) bzw. 22 A (kontinuierlich). Für alle vier Typen ist die effektive Ausgangskapazität spezifiziert.

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