Leistungs-MOSFETs 500-V-Typen mit 0,270 Ω On-Widerstand

Redakteur: Gerd Kucera

Vishay präsentiert drei neue 500-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F- und TO-247-Gehäuse. Dies sind die ersten Typen in Gen-6.2-n-Kanal-Planar-FET-Technologie, die in diesen Gehäusebauformen

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Vishay präsentiert drei neue 500-V-MOSFETs im TO-220-, TO-220F- und TO-247-Gehäuse. Dies sind die ersten Typen in Gen-6.2-n-Kanal-Planar-FET-Technologie, die in diesen Gehäusebauformen angeboten werden. Die Bausteine SiHP18N50C (TO-220), SiHF18N50C (TO-220 FULLPAK) und SiHG20N50C sind für eine Sperrspannung von 500 V ausgelegt und haben bei 10 V Gate-Spannung einen sehr niedrigen On-Widerstand von maximal 0,270 Ω. Der niedrige RDS(on) führt zu geringeren Durchlassverlusten und zu Energieeinsparungen bei Leistungsfaktorkorrektur- (PFC) und Pulsbreitenmodulations- (PWM) Anwendungen. Eine weitere Besonderheit neben dem kleinen On-Widerstand ist die geringe Gate-Ladung von nur 65 nC. Das Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand beträgt 17,75. Die Bauteile werden zu 100% Avalanche getestet und haben eine Spitzenstrombelastbarkeit von 72 A (Puls) bzw. 18 A (kontinuierlich). Für alle drei Typen ist die Ausgangskapazität spezifiziert. Im Vergleich zu 500-V-Leistungs-MOSFETs der vorigen Generation zeigen die neuen Transistoren ein verbessertes Verhalten bei der Transkonduktanz und Reverse-Recovery.

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