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600-V-MOSFET 4. Generation, weniger Verluste

| Redakteur: Gerd Kucera

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(Bild: Vishay)

Das erste Bauteil einer vierten Generation von 600-V-Power-MOSFETs ist der n-Kanal-MOSFET SiHP065N60E der E-Serie von Vishay Siliconix. Er bietet einen um 30% geringeren On-Widerstand (0,065 Ω maximal bzw. 0,057 Ω typisch bei 10 V Gate-Spannung) und eine um 44% geringere Gate-Ladung (49nC) als die bisherigen 600-V-MOSFETs der E-Serie und eignet sich durch seinen hohen Wirkungsgrad für Stromversorgungsanwendungen in den Bereichen Telekommunikation, Industrie und Unternehmen. Nach Herstellerangaben bietet der Superjunction SiHP065N60E unter allen vergleichbaren Produkten auf dem Markt das kleinste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand (FOM) von 2,8 Ω*nC (typisch) und ist laut Herstellerangaben damit um 25% geringer gegenüber dem nächstbesten Wettbewerbsprodukt. Auch die sehr geringen effektiven Ausgangskapazitäten von 93 pF bzw. 593 pF tragen zu dem guten Schaltverhalten des SiHP065N60E bei. Die geringeren Verluste führen zu Energieeinsparungen in PFC und steilflankig schaltenden DC/DC-Wandlerstufen.

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