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3D XPoint NVM-Speicher: Intel und Micron stoppen ihr Joint Venture

| Redakteur: Michael Eckstein

Jetzt ist es offiziell: Die US-Chiphersteller Intel und Micron stoppen ihre Zusammenarbeit für 3D XPoint. Beide Firmen wollen die nichtflüchtige Speichertechnologie getrennt weiterentwickeln.

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Alternative zu NAND-Flash: Intel und Micron beenden ihre Kooperation für das Entwickeln von 3D XPoint.
Alternative zu NAND-Flash: Intel und Micron beenden ihre Kooperation für das Entwickeln von 3D XPoint.
(Bild: Micron Technology, Inc.)

Ab der zweiten Jahreshälfte 2019, wenn die zweite Generation von 3D XPoint voraussichtlich fertig entwickelt ist, wollen Intel und Micron ihr Joint Venture stoppen. Danach wollen sie die nichtflüchtige Speichertechnologie (NVM, Non-Volatile Memory) getrennt entwickeln und vermarkten. Ziel sei es, die Technologie für ihre jeweiligen Produkt- und Geschäftsanforderungen zu optimieren. Die Fertigung der NVM-Speicherchips soll jedoch weiterhin im Intel-Micron-Flash-Technologies-(IMFT)-Werk in Lehi, Utah erfolgen.

An 3D XPoint haben Intel und Micron bislang seit über fünf Jahren gemeinsam geforscht – und dabei eine neue Klasse von nichtflüchtigem NVM-Speicher entwickelt. Die 3D-XPoint-Architektur besteht aus mehreren Lagen gekreuzter Wort- und Bit-Leitungen, angeordnet in einer dreidimensionalen Gitterstruktur. An den Schnittpunkten sitzen jeweils die Speicherzellen zwischen beiden Leitungstypen. Während bei NAND-Flash unterschiedlich hohe Spannungsniveaus die Bit-Werte je Zelle repräsentieren, bestimmt bei 3D XPoint der elektrische Widerstand den Speicherinhalt.

Dadurch sollen sie sich individuell adressieren lassen. Laut Intel und Micron sei es mit diesem Aufbau möglich, Daten in kleinen Blöcken zu lesen und zu schreiben, was die Schreib-/Lesevorgänge effizienter mache und beschleunige. Da 3D XPoint ohne die bei Flash üblichen Feldeffekttransistoren (FET) auskommt, gilt die Technik zudem als „transistorlose“ Architektur.

Intel und Micron entwickeln seit 2006 gemeinsam 3D-NAND

Bereits 2006 hatten Intel und Micron das Joint Venture „Intel Micron Flash Technologies“, kurz IMFT, gegründet. Ziel war es, neue Halbleitertechnologien für den stark wachsenden Flash-Speichermarkt zu entwickeln. 2015 kam die erste Generation auf den Markt. Die Chips wurden unter anderem in Intels Optane und Microns QuantX Flash-Laufwerken verbaut.

Auch an 3D-NAND-Speichern haben die Partner geforscht und den nach eigenen Angaben industrieweit ersten kommerziellen QLC-Flash-Speicher vorgestellt, der aus 64 Schichten besteht und eine Speicherdichte von 1 Terabit aufweist. Gegenüber üblichen TLC-Chips, die 3 Bits pro Zelle speichern können, kann QLC 4 Bits pro Zelle sichern. Das ermögliche eine 33% höhere Speicherdichte.

Separation der Speicherentwicklung auf Raten

Mit dem jetzigen Schritt separieren sich die Unternehmen weiter: Erst Anfang 2018 hatten Intel und Micron bekannt gegeben, dass sie ihr gemeinsames Entwicklungsprogramm für 3D-NAND-Flash-Speicher beenden werden, sobald die dritte Generation davon fertig entwickelt sei. Diese Chips sollen aus 96 Schichten bestehen Ende 2018/Anfang 2019 soll es soweit sein.

„Durch die unabhängige Entwicklung der 3D XPoint-Technologie kann Micron die Technologie für seine Produkt-Roadmap besser optimieren und gleichzeitig den Nutzen für unsere Kunden und Aktionäre maximieren“, erklärt Scott DeBoer, Executive Vice President of Technology Development von Micron. Ab Ende 2019 sollen erste Produkte damit erhältlich sein.

Bislang sei die Nachfrage nach 3D XPoint allerdings verhalten, hatte Micron bei der Vorstellung seiner letzten Geschäftszahlen bekannt gegeben. Die Unterauslastung der Fab hätte bis dato einen Fehlbetrag in dreistelliger Millionenhöhe verursacht.

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