Power-MOSFET

20/30-V-Typen in TrenchFET-Gen-III-Technik

17.12.2008 | Redakteur: Gerd Kucera

Vishay Intertechnology hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET-Leistungs-MOSFETs um zwei 20-V- und zwei 30-V-n-Kanal-Typen erweitert, die erstmals die TurboFET-Technologie nutzen.

Vishay Intertechnology hat seine Familie von Gen-III-TrenchFET-Leistungs-MOSFETs um zwei 20-V- und zwei 30-V-n-Kanal-Typen erweitert, die erstmals die TurboFET-Technologie nutzen. Diese arbeitet mit einer neuen, ladungssymmetrischen Drain-Struktur, welche die Gate-Ladung um bis zu 45% reduziert; dadurch werden wesentlich geringere Schaltverluste und eine signifikant höhere Schaltgeschwindigkeit erzielt.

Der 20-V-Typ SiS426DN bietet laut Hersteller unter allen Bauteilen am Markt mit dieser Sperrspannung im 3 mm x 3 mm großen PowerPAK-1212-8-Gehäuse das kleinste Produkt aus On-Widerstand und Gate-Ladung. Dieser FOM-Wert (figure of merit), der bei MOSFETs in DC/DC-Wandlern wichtig ist, beträgt beim SiS426DN nur 76,6 mO x nC bei 4,5 V bzw. 117,60 mO x nC bei 10 V; die typische Gate-Ladung beträgt nur 13,2 nC bei 4,5 V Gate-Spannung bzw. 28 nC bei 10 V Gate-Spannung. Im Vergleich zu den nächstbesten Wettbewerbsprodukten bedeuten diese Spezifikationen eine Reduktion der Gate-Ladung um 45% bei 4,5 V bzw. 36% bei 10 V und einen um 50% kleineren FOM-Wert. Die geringere Gate-Ladung führt zu effizienterem Schalten bei allen Frequenzen und ermöglicht es dem Entwickler, die Schaltfrequenz zu erhöhen und kleinere passive Bauteile einzusetzen. Die neuen Bauteile sind vorgesehen für den Einsatz als High-Side-MOSFETs in stromsparenden Synchron-Abwärtsreglern für Notebook-Computer, Spannungsreglermodule (VRMs), Server und andere Systeme mit POL- (Point-of-Load) Spannungswandlern.

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