3-bit Multi-Level-Cell (MLC) V-NAND

Massenproduktion von 64-Layer V-NAND Memory gestartet

| Redakteur: Sebastian Gerstl

Samsung startet Massenproduktion von 64-Layer V-NAND Memory in verschiedenen Formfaktoren, um die erhöhte Nachfrage nach Hochleistungs-Flash-Storage-Lösungen zu erfüllen. Die branchenweit ersten 64-Layer 256-gigabit (Gb) 3-bit Multi-Level-Cell (MLC) V-NAND-Chips werden in einer Vielfalt von SSDs, Embedded UFS Memory-Produkten und Speicherkarten für Server-, PC- und Mobilgerätekunden zum Einsatz kommen.
Samsung startet Massenproduktion von 64-Layer V-NAND Memory in verschiedenen Formfaktoren, um die erhöhte Nachfrage nach Hochleistungs-Flash-Storage-Lösungen zu erfüllen. Die branchenweit ersten 64-Layer 256-gigabit (Gb) 3-bit Multi-Level-Cell (MLC) V-NAND-Chips werden in einer Vielfalt von SSDs, Embedded UFS Memory-Produkten und Speicherkarten für Server-, PC- und Mobilgerätekunden zum Einsatz kommen. (Bild: Samsung)

Samsung hat mit der Massenproduktion von 256Gigabit V-NAND Flash Memory mit 64 Lagen für die Nutzung mit einem erweiterten Angebot an Speicherlösungen für Server, PC und Mobilgeräte-Applikationen begonnen.

Seit Samsung im Januar dieses Jahres mit der Herstellung des branchenweit ersten SSD auf Basis der 64-Layer 256Gb V-NAND Chips für wichtigste IT-Kunden begann, arbeitet das Unternehmen an einem großen Spektrum an V-NAND-basierten Mobile- und Consumer-Speicherlösungen. Darunter befinden sich Embedded UFS Memory, Marken-SSD und eine externe Speicherkarte, die das Unternehmen im Laufe des Jahres auf den Markt bringen wird.

Das 3-bit-256Gb-V-NAND mit 64-Layern von Samsung bietet eine Datenübertragungsrate von 1Gbit/s und ist damit der schnellste derzeit verfügbare NAND-Flash-Speicher. Darüber hinaus erreicht das V-NAND von allen NAND-Flash-Speichern die branchenweit kürzeste Page Program Time (tPROG) von 500㎲. Damit ist die Zeitperiode gemeint, die benötigt wird, um Daten auf einer bestimmten Zelle aufzuzeichnen. Dies ist etwa vier Mal kürzer als bei typischem Planar NAND Flash Memory mit 10-nm-Strukturen und etwa 1,5 Mal schneller als Samsungs schnellstes 3-bit-256Gb-V-NAND-Flash Memory mit 48-Layern. Mit dem heutigen reichhaltigen Angebot an führenden V-NAND-Produkten erwartet Samsung, dass sich die Branche nun stärker auf die hohe Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit bei Memory-Storage fokussiert als auf den Wettlauf bei der Chip-Skalierung.

Das neue 64-Layer 256Gb V-NAND bietet über 30 % Produktivitätsgewinn gegenüber seinem Vorgänger, dem 256Gb V-NAND mit 48-Layern. Darüber hinaus wird das 64-Layer V-NAND mit 2,5V versorgt, was zu einer etwa 30 % höheren Energieeffizienz gegenüber den 3,3V, die das 48-Layer V-NAND nutzte, führt. Auch die Zuverlässigkeit der neuen V-NAND-Zelle hat sich gegenüber seinem Vorgänger um etwa 20 Prozent erhöht.

Samsung ermöglichte diese Verbesserungen durch diverse Optimierungen im V-NAND-Fertigungsprozess. Darunter zählen etwa eine bessere Herstellung mehrerer Milliarden Kanallöcher, die mehrere Dutzend Layer von Zell-Arrays homogen durchdringen und den Verlust von Elektronen von rund 85,3 Milliarden Zellen minimieren. Ferner ist es Samsung gelungen, 64 Lagen von Cell Arrays auf der Basis von 3D CTF (Charge Trap Flash) Struktur zu realisieren und auf die innere Seite jedes Kanals eine atomisch dünne nichtleitende Substanz gleichmäßig aufzubringen. Dies führte zur Realisierung von kleineren Zellen mit höherer Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit.

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