20-nm-Prozesstechnik

Massenfertigung bei Samsung startet mit 8-GBit-DDR4-Speicher

21.10.14 | Redakteur: Holger Heller

8-GBit-DDR4-Speicher von Samsung: in 20-nm-Prozesstechnik gefertigt
8-GBit-DDR4-Speicher von Samsung: in 20-nm-Prozesstechnik gefertigt (Bild: VBM-Archiv)

Bei Samsung hat die Serienfertigung von 8-GBit-DDR4-Speicher-ICs und eines darauf basierenden 32-GByte-Moduls begonnen.

Beide Speicherlösungen werden in einer neuen 20-nm-Prozesstechnologie gefertigt und sind für den Einsatz in Enterprise Servern vorgesehen. prädestiniert. Samsung bietet damit nun ein komplettes Spektrum an 20-nm-basierten DRAM-ICs. Dies beinhaltet auch 4-GBit-DDR3-ICs für PCs und das 6-GBit-LPDDR3 für Mobilgeräte.

Basierend auf dem neuen 8-GBit-DDR4-Chip stehen auch 32-GByte-RDIMMs (Registered Dual In-Line Memory Modul) zur Verfügung. Die Datenübertragungsrate pro Pin erreicht Werte bis 2400 MBit/s. Gegenüber der Bandbreite eines DDR3-Server-Moduls von 1866 MBit/s entspricht dies einer Steigerung der Leistungsfähigkeit um etwa 29%.

Über die 32-GByte-Module hinaus erlauben die neuen 8-GBit-Chips die Produktion von Server-Modulen mit einer maximalen Kapazität von 128 GByte. Die dabei eingesetzte 3D-TSV-Technologie (Through Silicon Via) begünstigt die künftige Expansion des Marktes für High-Density DRAMs.

High-Density DDR4-Speicherist mit verbesserten Fehlerkorrekturfunktionen ausgestattet. Dies erhöht die Speicherzuverlässigkeit von Enterprise-Servern. Darüber hinaus arbeiten der DDR4-Chip und das 32-GByte-Modul mit 1,2 V und somit mit der zurzeit geringst möglichen Spannung.

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