V-NAND

Samsung startet Serienfertigung des ersten 3D Vertical NAND Flash

08.08.13 | Redakteur: Holger Heller

3D Vertical NAND Flash: Samsung beginnt mit der Serienfertigung in Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20 nm
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3D Vertical NAND Flash: Samsung beginnt mit der Serienfertigung in Halbleiterstrukturen zwischen 10 und 20 nm (Bild: VBM-Archiv)

Die ersten 3D Vertical NAND (V-NAND) Flash-Speicher-ICs von Samsung durchbrechen die aktuelle Skalierungsgrenze bestehender NAND-Flash-Technologie und bieten mehr Leistungsfähigkeit sowie weniger Platzbedarf.

IHS iSuppli geht davon aus, dass der weltweite Markt für NAND Flash-Speicher bis Ende 2016 einen Umsatz von etwa 30,8 Mrd. US-$ erreicht. Bei einem Umsatz von 23,6 Mrd. US-$ im Jahr 2013 entspricht dies einem Wachstum von durchschnittlich 11% pro Jahr. Damit ist NAND Flash-Speicher ein Wachstumstreiber der Speicherbranche.

Samsungs 3D V-NAND Flash soll in Anwendungen aus den Bereichen Unterhaltungselektronik und Enterprise-Systeme, z.B. Embedded NAND Storage und Solid State Drives (SSDs), zum Einsatz kommen.

Das V-NAND bietet 128 GBit Speicherkapazität auf einem Chip. Es nutzt die proprietäre vertikale Zellenstruktur des Unternehmens, basierend auf 3D Charge Trap Flash (CTF) Technologie und vertikaler Interconnect-Prozesstechnologie zur Verbindung des 3D Zellenarrays. Damit kann 3D V-NAND mehr als die doppelte Skalierung erreichen wie 20nm-Class Planar NAND Flash (Halbleiterstruktur zwischen 20 und 30 nm).

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