Top-Technik-Story

Herausforderungen an Gate-Treiber
für effiziente SiC-Umrichter

Dynamische SiC-Treiber

Herausforderungen an Gate-Treiber für effiziente SiC-Umrichter

Die Treiber SKYPER 12 und 42 LJ bieten die notwendige Dynamik und Robustheit für SiC-Lösungen bis 100 kHz. 7 kV Burst-Festigkeit und 8 Mio. h Zuverlässigkeit sorgen für stabilen Feldeinsatz. lesen

Empfehlung der Redaktion

FOX6-XM-USB mit einer Ausgangsleistung von 7 Watt

USB-Stromversorgung

FOX6-XM-USB mit einer Ausgangsleistung von 7 Watt

Das Mitglied der FOX-Gerätefamilie von FRIWO bietet der Medizintechnik die Möglichkeit, Geräte via USB mit der notwendigen Energie zu versorgen: Das FOX6-XM-USB stellt mit seinen 5 V/1400 mA eine Ausgangsleistung von ungefähr 7 W zur Verfügung. lesen

Aktuellste Fachbeiträge

Entwicklungen bis 2020 im
Power- und Energie-Management

Meilensteine der Elektronik

Entwicklungen bis 2020 im Power- und Energie-Management

Die Halbleiterbranche wird in den kommenden Jahren weiter mit Herausforderungen beim Energiemanagement konfrontiert, bei denen es gilt, immer mehr Energie bereitzustellen und zu speichern. lesen

Verbesserte Stromtragfähigkeit
ohne Baugrößenzuwachs

Stromschienen

Verbesserte Stromtragfähigkeit ohne Baugrößenzuwachs

Laminierte Stromschienen sorgen für induktivitätsarmes Verteilen von Energie, etwa in Umrichtern. Je höher Schaltfrequenz und der Strombetrag sind, umso mehr zählt jedes eingesparte nH. lesen

SiC-Planar-Power-MOSFET im neuen Low-Inductance-Gehäuse

SiC-MOSFET

SiC-Planar-Power-MOSFET im neuen Low-Inductance-Gehäuse

Weiter reduzierte Induktivität charakterisiert den neuen 1200-V-SiC-MOSFET in der C3M-Familie. Seine Reverse-Recovery-Kapazität wird mit 220 nC angegeben; der RDS(on) ist 75 mΩ bei 25 °C. lesen

Hohe Zuverlässigkeit ist möglich, aber es gibt große Unterschiede

SiC-MOSFET

Hohe Zuverlässigkeit ist möglich, aber es gibt große Unterschiede

Die Konferenz PCIM Europe (16.-18.5.2017) zeigt wieder wichtige Neuerungen bei den Power Devices. Ein Highlight 2017 sind SiC-MOSFETs, die nun belastbar und zuverlässig werden. lesen

Hochstrom-Leiterplatte begegnet Anforderungen der Antriebstechnik

3D-Hochstrom-Leiterplatten

Hochstrom-Leiterplatte begegnet Anforderungen der Antriebstechnik

Hochstromstrukturen für Lastkreise und Feinleiter für Logiksignale auf einem Schaltungsträger ist mit HSMtec kein Widerspruch. Diese Standard-FR4-Multilayer führen Ströme bis 400 A. lesen

Das große Potenzial der Galliumnitrid-Halbleiter

Power-Managment

Das große Potenzial der Galliumnitrid-Halbleiter

Bei den jetzt in Serie produzierten X-GaN-GiT-Transistoren ist das Problem des Current-Collapse vollends ausgeräumt. X-GaN ist eine HEMT-Weiterentwicklung für Mainstream-Anwendungen bis 6 kW. lesen

Gefährlicher Kurzschluss im PCB durch hohe Spannungen

Zuverlässigkeit

Gefährlicher Kurzschluss im PCB durch hohe Spannungen

CAF (Conductive Anodic Filament) beschreibt den chemischen Effekt der Kupfer-Ionen-Migration in FR-4 bei hohen Spannungen, wodurch es zu Durchschlägen in der PCB kommt. lesen

Lebensdauerbetrachtungen unter mechanischer Belastung

Mess- und Simulationsverfahren

Lebensdauerbetrachtungen unter mechanischer Belastung

Die Bestimmung der mechanischen Belastung von Bauelementen ist hinsichtlich Zuverlässigkeitsprognose in der Konzeptphase ebenso wichtig wie die thermische und elektrodynamische Analyse. lesen

News

Unfälle durch überhitzte Akkus nehmen zu

Vom Smartphone bis E-Bike

Unfälle durch überhitzte Akkus nehmen zu

24.03.17 - Explodierende Akkus, schmelzende Gehäuse, Brände - Meldungen von teils schweren Unfällen durch überhitzte Batterien häufen sich weltweit. Aus Expertensicht gibt es dafür mehrere Gründe. Zum Beispiel schlicht die unaufhörlich wachsende Zahl der Geräte. lesen

Schukat erstmals auf der PCIM

PCIM 2017

Schukat erstmals auf der PCIM

23.03.17 - 2017 präsentiert sich Schukat erstmals auf der PCIM und zwar mit Stromversorgungen, Lüftern, Halbleitern und Bauteilen für die Leistungselektronik. lesen

Unternehmensgründer Edgar Ansmann verstorben

Nachruf

Unternehmensgründer Edgar Ansmann verstorben

21.03.17 - Plötzlich und unerwartet ist am vergangenen Wochenende der Unternehmensgründer Edgar Ansmann im Alter von 69 Jahren in seinem Heimatort Assamstadt verstorben. Erst vor kurzem war dem Aufsichtsratsvorsitzenden der Ansmann-Gruppe das Bundesverdienstkreuz verliehen worden. lesen

Neuer Rekord beim Wirkungsgrad von Silizium-Solarzellen

Photovoltaik

Neuer Rekord beim Wirkungsgrad von Silizium-Solarzellen

20.03.17 - Bis zum Jahr 2050 soll Photovoltaik etwa 20 Prozent der weltweit benötigten Elektrizität liefern. Japanische Forscher haben nun einen neuen Rekord für den Wirkungsgrad von Silizium-Solarzellen erreicht. lesen

Zusätzlich 300 und 400 Watt

Medizinische Netzgeräte

Zusätzlich 300 und 400 Watt

23.03.17 - Die medizinischen Stromversorgungen der Modellserie RPS von Mean Well (Vertrieb Emtron) werden nun um die beiden Modelle RPS-300 (bis 300 W) und RPS-400 (bis 400 W) erweitert. lesen

Produktneuheiten

4. Generation, weniger Verluste

600-V-MOSFET

4. Generation, weniger Verluste

28.02.17 - Das erste Bauteil einer vierten Generation von 600-V-Power-MOSFETs ist der n-Kanal-MOSFET SiHP065N60E der E-Serie von Vishay Siliconix. lesen

Power-Modul in CIB-Topologie

IPM

Power-Modul in CIB-Topologie

28.02.17 - Vincotech, ist Hersteller modularer Lösungen für die Leistungselektronik und präsentiert ein neues, intelligentes Leistungshalbleitermodul mit einer besonders hohen Komponenten-Integrationsdichte für 1200-Volt-Anwendungen. lesen

Power Devices entwärmen

Kühlkörper

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28.02.17 - Leistungsstark und kompakt sind laut CTX die SuperFins-Hochleistungskühlkörper mit Kupfer- oder Alubodenplatten und eingepressten Rippen. lesen

Analog IC Suchtool

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ELEKTRONIKPRAXIS 6/2017

ELEKTRONIKPRAXIS 6/2017

Autobauer setzen auf 48-Volt-Mild-Hybridantriebe

Weitere Themen:

Assistenzsysteme auf den Vormarsch
Herstellung von Hochfrequenz-PCBs

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Leistungselektronik & Stromversorgung

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Das große Potenzial der Galliumnitrid-Devices

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Fehleinschätzungen von GaN-Halbleiter vermeiden
Herausforderungen an Gate-Treiber für SiC-Umrichter

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