Leistungshalbleiter

Power-MOSFETs mit geringen Widerständen

21.08.14 | Redakteur: Franz Graser

Für Hochleistungsnetzteile und Lichtschaltungen sind die Leistungs-MOSFETs mit dem Super-Junction-Aufbau von Taiwan Semiconductor vorgesehen.
Für Hochleistungsnetzteile und Lichtschaltungen sind die Leistungs-MOSFETs mit dem Super-Junction-Aufbau von Taiwan Semiconductor vorgesehen. (Bild: Taiwan Semiconductor)

Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs mit planarem Aufbau stoßen bereits an die Grenzen des Siliziums. Die Bauteile mit dem sogenannten Super-Junction-Aufbau von Taiwan Semiconductor umschiffen diese Klippe.

Die Super-Junction-Technik kann dank der reduzierten Gate-Ladung und deren Kapazitäten mit höchsten Frequenzen schalten und auf diese Weise viel höhere Ströme und damit größere Leistungen schalten. Die dadurch erzielte Bauform kann somit höhere Dichten mit wesentlich kleinerem Einschaltwiderstand RDS(on) erzielen, wobei die Größe des Chips beibehalten wird.

Die Super-Junction-MOSFETs von Taiwan Semiconductor (TSC) bieten außerordentlich geringe RDS(on)-Widerstände und damit ein optimales FOM (Figure-Of-Merit (RDS(on) x Qg) ).Ein kleineres FOM bedeutet höhere Effizienz und bessere Leistung bei kleinerem Verlust und guter Schaltleistung.

Desweiteren bieten sie eine ausgezeichnete Single-Pulse-Avalanche-Stabilität und höchste Leistung. Diese Leistungs-MOSFET eignen sich daher gut für für Hochleistungsnetzteile und Lichtschaltungen.

Die Super-Junction-Leistungs-MOSFETs sind in folgenden Varianten erhältlich Durchsteck- oder SMD-Gehäuse ITO-220, TO-251 (IPAK, siehe Foto) und TO-252 (DPAK).

In naher Zukunft werden weitere Komponenten hinzukommen mit RDS(on)-Bereichen von 1.4 Ω bis hinunter zu 0.19 Ω und Strömen von 4 A bis 20 A für Spannungen von 600 V und 700 V.

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