Fachartikel

650-V-Superjunction-MOSFETs mit Mixed-Signal-Technologie

Power-MOSFET

650-V-Superjunction-MOSFETs mit Mixed-Signal-Technologie

MOSFETs, Gate-Treiber sowie Referenz-Designs für Motor Control und Stromversorgungen bilden die Technologie-Roadmap von D3 Semi. In +FET ist der MOSFET mit Mixed-Signal-Technologie kombiniert. lesen

Auswahl des optimalen MOSFETs für Offline-Schaltnetzteile

POWER-MOSFETs

Auswahl des optimalen MOSFETs für Offline-Schaltnetzteile

In einem typischen Schaltnetzteil ist der MOSFET für den größten prozentualen Anteil der Verluste verantwortlich. Deshalb ist die bestmögliche Auswahl des Power-MOSFET so wichtig. lesen

Messerückblick PCIM Europe 2017

Neuvorstellungen

Messerückblick PCIM Europe 2017

Einmal mehr war die Konferenzmesse PCIM Europe das Eldorado der Leistungselektroniker. Die vielen Neuerungen bei Wide-Bandgap- und Silizium-Halbleitern taugten zur Goldgräberstimmung. lesen

Vier Schlüsseltechnologien
für Innovationen im Jahr 2017

Technologietrends

Vier Schlüsseltechnologien für Innovationen im Jahr 2017

Die Halbleitertechnik ist die Triebfeder für Entwicklungen bei hohen Spannungen, teilautonomen Systemen in der Automobiltechnik und Robotik, bei intelligenten Gebäude- und Stadtkonzepten sowie persönlichen Elektronikgeräten. lesen

Wie die Streuinduktivität Leistungshalbleiter behindert

Design-in-Unterstützung

Wie die Streuinduktivität Leistungshalbleiter behindert

Streuinduktivität erzeugt Überspannungen beim Abschalten und begrenzt die Schaltgeschwindigkeit. Es ist eine maximale Stromsteilheit einzuhalten, um Sperrspannungsgrenzen nicht zu überschreiten. lesen

Optimierte interne Struktur senkt Schaltverluste um 64%

Full-SiC-Module

Optimierte interne Struktur senkt Schaltverluste um 64%

Optimiert für Photovoltaikanlagen, USV sowie Stromversorgungen der Industrie gibt es von ROHM jetzt zwei neue Full-SiC-Power-Module für 1200 V und 400 A/600 A als Muster und in OEM-Stückzahlen. Im März 2012 startete ROHM als weltweit erstes Unternehmen mit der Massenfertigung von Full-SiC-Power-Modulen, deren Leistungshalbleiter ausschließlich auf Siliziumkarbid basierten. lesen

Sicher vor Überstrom durch integrierte Schutzfunktionen

Buck-Regler

Sicher vor Überstrom durch integrierte Schutzfunktionen

Wie schützt man Abwärtsregler bestmöglich gegen Überstrom? Die synchronen Buck-Regler ISL850XX integrieren dazu eine Spitzen-, Tal- und Rückstrombegrenzung und vereinfachen die Entscheidung. lesen

SiC-Dioden und SiC-Power-MOSFET sind bereit für den Massenmarkt

Wide-Bandgap-Halbleiter

SiC-Dioden und SiC-Power-MOSFET sind bereit für den Massenmarkt

Im Dezember 2015 startete Littelfuse eine Initiative zur Verbreitung von SiC-Komponenten und investierte dazu in Monolith Semiconductor, ein auf die Entwicklung von SiC-Halbleitern spezialisiertes Unternehmen. lesen

Mit Simulation & Design-Regeln zu besseren Power-Modulen

Aufbau- und Verbindungstechnik

Mit Simulation & Design-Regeln zu besseren Power-Modulen

Ein neuer AVT-Ansatz mit verbesserter Gehäuse- und Chip-Technologie reduziert die Modul-Induktivität und integriert den Chip zwischen einer flexiblen Leiterplatte und dem DCB-Substrat. Anwendungsbereiche wie Photovoltaik, Medizintechnik und Induktionsschweißen verlangen nach schnell schaltenden SiC-MOSFET-Leistungsmodulen. lesen

Entwicklung eines Power-Moduls für Automobil- und CAV-Antriebe

Elektromobilität

Entwicklung eines Power-Moduls für Automobil- und CAV-Antriebe

Bei der Entwicklung eines neuen Leistungsmoduls auf IGBT-Basis für den Einsatz in Elektro- und Hybrid-Fahrzeugen mussten technische und anwendungsbezogene Anforderungen miteinander kombiniert werden. lesen