Bei der SOS-Technik handelt es sich laut Peregrine um den leistungsfähigsten komplementären HF-Metalloxid-Halbleiterprozess (HF-CMOS). Sobald die Entwicklung der UltraCMOS-HF-ICs der nächsten Generation marktreif ist, soll die Produktion im gemeinsam entwickelten 180-nm-Prozess in der 200-mm-Halbleiterfabrik bei IBM in Burlington, Vermont, aufgenommen werden.

„Unsere UltraCMOS-Technik bietet beste HF-Eigenschaften, eine hohe Integration und wird in HF-Baugruppen für Mobiltelefone und mobilen Multimode-, Multiband-Geräte eingesetzt“, erklärte Rodd Novak, Chief Marketing Officer bei Peregrine. Novak weiter: „Diese Module kommen in der Breitbandkommunikation, z.B. in 4G-/LTE-Einrichtungen und -Basisstationen, in der Wireless-DTV/CATV-HF-Signalaufbereitung und in Satellitensystemen zum Einsatz.“

IBM ergänzt damit sein Angebot an Halbleiterprozessen durch Peregrines UltraCMOS-Technik. Dies ist der erste kommerziellen Einsatz des 200-mm-Wafer-Prozesses (8") im Bereich Silizium-auf-Saphir – einer patentierten Variante der Silizium-auf-Isolator-Technik (SOI) mit einer dünnen Siliziumschicht auf einem hochisolierenden Saphirsubstrat.

„Der Übergang zum 200-mm-Wafer unterstützt die Prozessweiterentwicklung zu 180-, 130- und 90-nm-Nodes und ermöglicht eine höhere Integration“, so Novak. Weiterhin biete die Übereinkunft mit IBM durch seine weltweiten Technologieallianzen hohe Produktionskapazitäten. Die Zusammenarbeit zwischen beiden Unternehmen begann im Jahr 2008, als der Einsatz von CMOS im HF-Bereich sich als brauchbare Alternative zu herkömmlichen Halbleiterprozessen wie Gallium-Arsenid (GaAs) darstellte.

Zu den Vorteilen von CMOS gehören Zuverlässigkeit, Kosteneffizienz, hohe Ausbeute, Übertragbarkeit, Skalierbarkeit und Integration, die auch für UltraCMOS gelten. Eine der ersten Neuerungen bei Peregrine war die HaRP-Design-Methode, die gute Werte im Oberwellenbereich erbrachte. Zu den jüngsten vorgestellten Innovationen zählt die DuNE-Technik mit ihren digital abstimmbaren Kondensatoren, die damit eine lange bestehende Forderung der Industrie für die HF-Abstimmung lösten.

Die ersten Muster von 180-nm-UltraCMOS-HF-ICs wurden bereits an einen wichtige Kunden ausgeliefert, Produktionsmengen werden für das Jahr 2011 erwartet.