11.01.12 | Redakteur: Holger Heller
In den Halbleiterfabriken von IBM und Globalfoundries im "Tech Valley" des US-Bundesstaats New York werden gemeinsam Chips gefertigt, die aus der neuen Fab 8 von Globalfoundries stammen. Die neuen Chips werden auch in IBMs 300-mm-Wafer-Fabrik in East Fishkill hergestellt.
Die Chips basieren auf IBMs 32-nm-Silicon-on-Insulator-(SOI-)Technologie. Diese wurde gemeinsam mit Globalfoundries und anderen Mitgliedern der IBM Process Development Alliance entwickelt, mit Forschungsbeiträgen vom College of Nanoscale Science and Engineering der Universität Albany.
Die neue Technologie verbessert laut IBM die Mikroprozessorleistung bei Multi-Core-Designs und erhöht die Grafikgeschwindigkeit bei Gaming, Networking und anderen Multimedia-Anwendungen.
Die neue Fab 8 von GLOBALFOUNDRIES liegt etwa 180 km nördlich der IBM Fertigungsstätte in East Fishkill. Sie gilt als größte moderne Halbleiter-Produktionsstätte in den USA.
In der endgültigen Ausbaustufe wird sie über einen Reinraum von ca. 30.000 m² verfügen und monatlich bis zu 60.000 Wafer produzieren können. Fab 8 wird für moderne Produktionsverfahren im 32-/28-nm-Bereich und darunter eingesetzt.
Die neuen Chips werden auch IBMs eDRAM-Technologie (Embedded DRAM) einsetzen. Dies verbessert die Hauptspeicherleistung auf dem Prozessor. eDRAM benötigt nur ein Drittel des Platzes und ein Fünftel der Standby-Stromaufnahme gegenüber konventionellen SRAMs.
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