3.3-kV-IGBT-Modul

Entwicklung eines 3.3-kV-IGBT-Moduls der nächsten Generation

Dieser Beitrag stellt wesentliche Ergebnisse zu den elektrischen Eigenschaften der neuen 3.3-kV-IGBTs und -dioden dar.

Für Hochleistungsanwendungen ist ein High-Voltage-IGBT-Modul mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften, wie geringen Schalt- und Durchlaßverlusten und hoher Zuverlässigkeit, unumgänglich.Häufig schließen sich bestimmte Forderungen nach gewünschten Eigenschaften gegenseitig aus.Um eine ausgewogene Gesamtperformance zu erzielen, wird eine neu entwickelte Chipkombination eingesetzt, welche den FP-LPT-HVIGBT-Chip (Fine Planar MOSGate Light Punch Through HVIGBT) und eine Soft-Reverse-Recovery-Hochspannungsdiode in einem neuen Design verwendet. Die verbesserten Eigenschaften der 3.3-kV-IGBTs der neuen Generation ermöglichen geringere Modulverluste und höhere Nennstromstärken.
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